郑望
,
陈猛
,
陈静
,
林梓鑫
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.023
用 Secco法、 Cu-plating法分别表征了低剂量 SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度 . 结果显示 , 低剂量 SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低 , 但埋层质量稍差 . 通过注入工艺和退火过 程的进一步优化 , 低剂量 SIMOX将是一种有前途的 SOI材料制备工艺 .
关键词:
SOI
,
SIMOX
,
Secco
,
Cu-plating
,
线缺陷