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调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结磁输运研究

郑泽伟 , 沈波 , 张荣 , 桂永胜 , 蒋春萍 , 马智训 , 郑国珍 , 郭少令 , 施毅 , 韩平 , 郑有炓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.021

通过低温和高磁场下的磁输运测量,首次在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫-德哈斯振荡的双周期特性,发现在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的三角势阱中产生了二维电子气(2DEG)的第二子带占据,发生第二子带占据的阈值2DEG浓度估算为7.2×1012 cm-2,在阈值2DEG浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为75 meV.

关键词: 异质结 , 舒勃尼科夫-德哈斯振荡 , 第二子带占据

改进溶胶-凝胶法制备PZT5O/5O铁电薄膜

王根水 , 于剑 , 赖珍荃 , 孟祥建 , 孙兰 , 郭少令 , 褚君浩 , 李刚 , 路庆华

功能材料

采用改进的溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT50/50铁电薄膜-用X射线衍射表征了薄膜的物相,用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的微观形貌,用RT-66A测量了薄膜的铁电特性,获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为100nm的PZT50/50铁电薄膜,在20V电压下,P,=31.83μC/Cm2.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 前驱体 , PZT50/50 , 铁电薄膜

AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

郑泽伟 , 沈波 , 陈敦军 , 郑有炓 , 郭少令 , 褚君浩

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.011

通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象.用Dingle作图法得到本样品τq的大小为0.17 ps.结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g*.用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g*增强效应.在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性.用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性.

关键词: 调制掺杂 , AlxGa1-xN/GaN , 异质结构 , 二维电子气 , 迁移率 , 有效g因子

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