孙聂枫
,
杨光耀
,
吴霞宛
,
曹立新
,
赵权
,
郭维廉
,
赵有文
,
孙同年
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.004
在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试到VInH4的存在.已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在.经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4浓度比在未掺杂中的高.而在同一晶锭中其浓度分布是头部高,尾部低.讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响,及其对InP热稳定性的影响.
关键词:
InP
,
VInH4
,
补偿
谢生
,
陈松岩
,
毛陆虹
,
郭维廉
功能材料
用直接键合技术在480℃实现了InP/GaAs的异质键合,用X射线光电子谱研究了样品的界面化学态.研究分析表明,InP/GaAs样品在480℃的键合过程中发生相互扩散(除P外),键合界面处形成了由InP、GaAs、InAs和GaP构成的中间过渡层,过渡层厚度约为6nm.
关键词:
晶片键合
,
X射线光电子谱
,
磷化铟
,
砷化镓
