欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(1)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究

杨世才 , 阿布都艾则孜·阿布来提 , 简基康 , 郑毓峰 , 孙言飞 , 吴荣

人工晶体学报

在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20~370 ℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜.X射线衍射图谱表明:温度大于180 ℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜.衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善. 1.5 Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件.由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80~1.85,膜厚约为 1 μm、光学能隙为6.1 eV.原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2~13.2 nm.

关键词: 氮化铝 , 磁控反应溅射 , 择优取向

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词