陈水源
,
赖恒
,
肖艳
,
陈志高
,
冯倩
,
黄志高
稀有金属材料与工程
用固相反应法制备了二元掺杂系列La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0,0.40,0.45,0.55,0.60,1.0)多晶材料;在77 K～420 K范围内测量了样品的电阻和磁电阻.结果表明,所制备的系列样品电阻率与温度的关系具有明显的双电阻峰结构;在T=77 K～350 K范围内,样品均有相似的磁电阻行为:在低温区(T＜Tc,,Tc为居里温度),磁电阻(MR)随T的下降几乎线性增加,在此区域采用用自旋极化电子隧道效应和局域化模型较好地解释了电阻和磁电阻行为.在较低温度(77 K～100 K)都有较大的MR值,这与单晶材料和薄膜材料的MR行为完全不同,这一差异是由于晶界效应所致;在Tc附近,样品都出现了磁电阻峰.在T＞Tc区域,电阻率、磁电阻都随温度的升高而迅速下降,样品在高温(Tc附近及T＞Tc区域)的这一行为可用双交换(DE)模型与非磁无序来说明.通过掺杂研究发现,掺杂量x为0.55,0.60的2种样品在室温下具有较大的磁电阻,在B=1.2 T时分别达到14.5%和19.5%.
关键词:
磁电阻
,
电阻
,
隧道效应
,
晶界效应
,
非磁无序
陈志高
,
陈水源
,
黄志高
,
赖恒
,
都有为
稀有金属材料与工程
用固相反应烧结法制备了多晶体材料La2/3Ca1/3MnO3(LCMO),La2/3(Ca0.5Ba0.5)1/3MnO3(LCBMO)、La2/3Ba1/3MnO3(LBMO),La2/3(Sr0.5Ba0.5)1/3MnO3(LSBMO)和La2/3Sr1/3MnO3(LSMO),测量了它们在77 K～800 K的电阻和磁电阻特性.实验发现,通过一定的工艺技术制备出的CMR材料有强烈的相界效应,在低温下有大的磁电阻,且在Tc附近存在明显的从金属态向半导体态的转变;用自旋极化电子隧道效应和靠近居里点逾渗模型较好地解释了电阻和磁电阻行为;用非绝热小极化子跃迁模型对高温的电阻特性进行拟合处理,得到了激活能;同时发现退火处理对样品的电阻率有重要的影响.
关键词:
磁电阻
,
输运特性
,
稀土
,
非绝热小极化子跃迁
赖恒
,
陈水源
,
陈志高
,
李永森
,
黄志高
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2003.02.012
用固相反应法制备了La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0.00,0.40,0.45,0.55,0.60,1.00)六种多晶CMR材料,并测量了在77K～350K范围内零磁场和0.4T外磁场下的电阻率.这些样品都出现了双电阻峰结构,采用Mott转变表达式ρ～exp(T0/T)1/4拟合了实验数据,结果表明高温峰的转变是绝缘体-金属(I-M)转变,而低温峰不是I-M转变峰,用自旋极化电子隧道效应和局域化模型解释了电阻和磁电阻行为.此外,在x=0.4～0.6掺杂范围内样品呈现出异常的电阻行为.
关键词:
电阻
,
掺杂I-M转变
,
晶界效应
,
非磁无序
郑勇平
,
陈志高
,
卢宇
,
黄志高
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.014
理论上对ZnO能带的计算一般采用局域密度近似(LDA),而该方法得到的带隙结果却被严重的低估了.在本文中,我们在密度泛函理论的LDA近似的框架下,通过第一性原理GW近似(GWA)对ZnO的能带进行了修正.在LDA和GWA计算中,将Zn3d电子作为价电子,LDA结果表明ZnO是一种直接带隙半导体,同时讨论了LDA和GWA计算得到的能带之间的差异.
关键词:
ZnO
,
准粒子能带结构
,
GW
,
第一性原理
