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单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

刘训春 , 陈俊 , 王润梅 , 王惟林 , 李无瑕 , 李爱珍 , 陈建新 , 陈意桥 , 陈晓杰 , 杨全魁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.008

制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.

关键词: 单电源 , InGaP/InGaAs , LNA

高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制

刘家洲 , 陈意桥 , 税琼 , 南矿军 , 李爱珍 , 张永刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.011

报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能.在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps.对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论.

关键词: 光电探测器 , 分子束外延 , In0.53Ga0.47As

1.3μmInAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器

张永刚 , 陈建新 , 陈意桥 , 齐鸣 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.039

采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA,在25oC至90oC温度范围内特征温度大于90K,并表现出较好的单纵模特性.

关键词: 量子阱结构 , 半导体激光器 , 化合物半导体

GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算

高少文 , 陈意桥 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.002

对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层.研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系.

关键词: GaInAs/GaInAsP , 应变量子阱 , 色散

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