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生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响

郭杰 , 孙维国 , 陈慧娟 , 彭震宇 , 鲁正雄 , 郝瑞亭 , 周志强 , 许应强 , 牛智川

功能材料

采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长InAs(4ML)/GaSb(8ML)超晶格(SLs).研究了生长温度(400~440℃)对超晶格晶体结构和表面形貌的影响.结果表明,420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小,其荧光光谱(PL)峰值波长在约2.54μm处,响应光谱50%截止波长在约2.4μm处.通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面,并发现生长温度强烈影响混合界面InAs/GaSb超晶格结构和表面形貌,而对InSb界面超晶格的影响较小.

关键词: InAs/GaSb , XRD , 生长温度 , 界面

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