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1.08μmInAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

钱家骏 , 叶小玲 , 徐波 , 韩勤 , 陈涌海 , 丁鼎 , 梁基本 , 刘峰奇 , 张金福 , 张秀兰 , 王占国

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.027

介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究.器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器.室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出.

关键词: InAs/GaAs应变自组装量子点材料 , 量子点激光器 , 电致发光谱(EL) , MBE外延生长

用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布

周振宇 , 陈涌海

硅酸盐通报

利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布.测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差.实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN 衬底的[110] 和[110]的应变差最大可以达到10-5数量级.蓝宝石衬底的可以达到10-6数量级.因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测.

关键词: 偏振差分透射谱 , 各向异性 , 内应力

偏振差分反射谱(RDS)测试系统

万寿科 , 陈涌海 , 王占国

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.023

利用RDS测试系统,可以在近垂直入射条件下,测量出样品的反射系数在样品平面内两个互相垂直的方向上的细微差异,即所谓平面内光学各向异性.它对研究半导体材料及其量子阱超晶格等低维结构中的平面内光学各向异性、半导体表面重构和对外延生长过程中的实时监控都具有重要作用.本系统已为研究工作提供了大量数据.

关键词: 偏振器 , 光弹性调制器(PEM) , 平面内光学各向异性

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