陈萌炯
,
张溪文
,
郭玉
,
王薇薇
,
韩高荣
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.04.021
本文用介质阻挡放电化学气相沉积(DBDCVD)在室温下进行了非晶氢硅薄膜制备.通过硅烷氢气流量比、DBD放电电压等工艺条件的调整,在玻璃上沉积了系列样品.研究表明,DBDCVD法可以在室温下快速制备非晶氢硅薄膜,最大沉积速率可达0.34nm/s,由于DBDCVD的高能量和室温沉积的特点,薄膜中硅-氢键以SiH2为主.随硅烷反应气体浓度的变化,薄膜的光学带隙可在1.92eV～2.18eV之间调整.
关键词:
非晶硅
,
硅氢键
,
DBDCVD
