胡飞
,
陈镜昌
,
吴坚强
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江毅
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王群
功能材料
在酸性溶液中在透明导电玻璃(ITO)基体上电化学沉积Cu2O薄膜.通过实验研究了电沉积工艺条件对电沉积Cu2O薄膜的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析.结果表明,水浴温度较高时,酸性镀液中Ac-HAc共轭缓冲体系的反应速率提高,可以有效抑制铜单质的生长;镀液中铜离子的浓度会影响工作电极表面铜离子的浓度梯度,使得Cu2O在不同镀液下形成不同方向的择优取向;在双电极条件下可以提高电沉积Cu2O薄膜的电流密度至4mA/cm2,远远高于文献报导在三电极体系下低于1mA/cm2的工作电流密度.生成的氧化亚铜薄膜具有多孔结构,禁带宽度Eg约为2.4eV.
关键词:
氧化亚铜
,
电沉积
,
溶液温度
,
电流密度
胡飞
,
陈镜昌
,
付梦乾
,
文思逸
,
胡跃辉
功能材料
通过线性电位扫描分析了低In电解液中的阴极电化学反应,结果表明柠檬酸钠可以降低Cu2+的活性,而H2SeO3的加入可导致阴极上Se元素与Cu+和In3+发生复杂的协同反应.低In电解液中恒电位沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,分段电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于CuInSe2(CIS)化学计量比.薄膜在N2气氛上退火处理,得到了黄铜矿结构CIS薄膜,禁带宽度为1.06eV.
关键词:
线性电位扫描
,
铜铟硒(CIS)薄膜
,
分段电沉积
,
柠檬酸钠
胡飞
,
胡跃辉
,
陈镜昌
材料导报
采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构.通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响.结果表明,电沉积体系中通入氧气对阴极还原反应起到了加速作用,而电沉积体系中的HMT通过水解作用对电沉积反应起到了稳定剂作用.在氧气和HMT的协同作用下可使ZnO更加充分地成核生长,得到结构清晰分明的六方棱柱ZnO晶种,进而形成规则均一的ZnO薄膜.
关键词:
电化学沉积
,
ZnO纳米棒阵列
,
ZnO纳米管阵列
,
机理
