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PECVD制备嵌埋在硅槽中的硅反Opal结构

韩喻 , 谢凯 , 李宇杰 , 许静

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.016

摸索了利用PECVD方法制备嵌埋于硅槽中Si反Opal结构的工艺条件,探索性研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间和Opal基底状态对填充效果的影响.结果显示射频功率越小,流量越低,反应室压力越大,则反应速率越低,Opal结构内外填充越均匀.同时,在[SiHm]自由基扩散通道不被堵塞的前提下,沉积时间越长,Opal结构排列越规整,则整体填充越致密,越有利于反Opal结构的形成.

关键词: PECVD , 反Opal结构 , Si凹槽

三维光子晶体及其制备技术研究进展

韩喻 , 谢凯

材料导报

光子晶体是一种新概念人工结构功能材料,通过设计可以人为调控经典波的传榆.而三维光子晶体能产生全方向的完全禁带,具有更普遍的实用性.从结构、材料及应用探索3方面介绍了近几年来光学波段三维光子晶体的最新发展动向:以器件化为指导,逐步由简单媒质简单周期向复杂媒质复合周期结构方向发展,由胶体模板自组装等纯化学制备手段向物理化学方法相融合的多元技术扩展,其应用领域也由光电子器件、集成光路进一步拓展到光电对抗、光学探测、传感等.

关键词: 三维光子晶体 , 光子禁带 , 周期结构 , 介电常数

复式周期结构光子晶体研究进展

谢凯 , 韩喻

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.001

综述了近年来复合周期结构光子晶体的最新发展动向,从三种维度阐述了叠层复合和嵌套复合的结构设计思路,通过比较禁带调制性能,认为复合结构较单一结构具有更强的带隙调制作用,其中叠层复合是光子晶体禁带位置及宽度调制的重要手段之一,而嵌套复合主要针对带隙模式的调制.同时还介绍了各种复合结构的制备方法及可能的应用领域.

关键词: 光电子学 , 光子晶体 , 复合周期 , 带隙调制

纳米金属氧化物制备多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜反应过程及其性能研究

郑春满 , 韦永滔 , 谢凯 , 韩喻

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12505

以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜.采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,采用霍尔效应测试仪和吸收光谱分析等对多晶CIGS薄膜的性能进行了表征.研究结果表明,纳米金属氧化物主要含CuO、In2O3、Ga2O3和铜-铟、铜-镓二元合金氧化物等成分,在还原反应中逐渐转变成Cu11In9、Cu9In4等产物,同时薄膜中形成大量孔隙;硒化过程中,硒蒸气沿孔隙通道进入还原产物的晶格,反应生成CIS和CGS,从而形成具有黄铜矿结构的多晶CIGS薄膜;多晶CIGS薄膜表面晶粒排列紧密,属于p型半导体,其载流子浓度为2.3×1015 cm-3,迁移率为217 cm2/(V.s),电阻率为36Ω·cm,带隙宽度约为1.15 eV.

关键词: 氧化物 , Cu(In,Ga)Se2薄膜 , 光学性能 , 反应过程

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