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退火温度对IrO2+ZrO2涂层结构和电容性能的影响

马晓磊 , 邵艳群 , 朱君秋 , 娄长影 , 何建福 , 林星星 , 唐电

稀有金属材料与工程

采用热分解法在Ti基上被覆了IrO2+ZrO2氧化物涂层.通过XRD、SEM、EDX、XPS和循环伏安法等分析了退火温度对IrO2-ZrO2二元氧化物涂层的物相、表面形貌和电容性能的影响,引用非线性方程g*(v)=A1 exp(-v/t11)+A 2exp(-v/t2)+y0计算了涂层的内外活性点.结果表明:IrO2-ZrO2涂层的临界晶化温度为340~360℃,340℃退火的涂层物相为非晶结构,360℃退火,含有晶态和非晶态2种结构组织,其离子价态为Ir3+、Ir4+以及过饱和IrO2+(x>0).电容性能随着温度的升高呈先增大后减小变化,360℃退火的电极有最大的电容值,与其“非晶态/晶态”两相共存组织结构有关.涂层中质子迁移能力比电子导电能力对电容的影响要大,扫描速度对质子迁移的影响大于对电子导电的影响.

关键词: 组织结构 , 电容性能 , IrO2+ZrO2二元氧化物 , 热分解

Ti/IrO 2-SnO 2-CeO 2电极的电容特性

邵艳群 , 伊昭宇 , 娄长影 , 朱君秋 , 马晓磊 , 唐电

中国有色金属学报

采用热分解法在360℃制备了Ti/IrO2-SnO2-xCeO2(摩尔分数)电极,通过 X射线衍射(XRD)、交流阻抗(EIS)和循环稳定实验分析CeO2含量对 Ti/IrO2-SnO2-xCeO2涂层组织、电容性能、频率响应特性和循环稳定性的影响。结果表明:CeO2可抑制IrO2-SnO2晶化,随CeO2含量的增加,IrO2-SnO2的晶化程度逐渐下降。含20% CeO2电极比电容可达505.7 F/g,是同频率下Ti/IrO2-SnO2电极的3倍。CeO2含量不超过20%时,对电极的传荷电阻Rct及弛豫时间常数τ影响较小。经历6000次循环后,10% CeO2电极电容增加了34.39%,20% CeO2电极电容增加了3.45%,

关键词: 超级电容器 , 电化学交流阻抗 , 频率特性 , 二氧化铱 , 二氧化铈

化学沉淀法合成氧化锰纳米粉体

马晓磊 , 李志祥 , 梁云霄 , 许高杰

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.013

以乙酸锰(Mn(Ac)2·4H2O)、双氧水(H2O2)及氨水(NH3·H2O)为原料,通过水浴化学沉淀直接合成Mn3O4纳米粉体.采用XRD和SEM对样品成分和形貌进行表征,发现水浴温度80℃、原料物质的量比为1∶2∶2时合成的样品结晶完善,形状规则,尺寸均匀.双氧水用量较少时有异形结构生成;氨水不足会造成产物大小不均匀;水浴温度过高或过低都会造成产物形状不规则,粒径分布变宽.TG/DTA结果显示,样品在空气中升温时存在3次转变,分别在202℃、338℃附近生成了相似结构的Mn3O4,仅晶格尺寸发生变化;超过455℃生成了立方方铁锰矿的α-Mn2O3.对比产物在不同温度下煅烧后的XRD图谱和TEM照片,发现600℃煅烧生成的α-Mn2O3结晶完善,团聚较少,晶格尺寸(a=b=c=9.412(A))接近标准值.

关键词: 化学沉淀法 , 水浴 , Mn3O4 , α-Mn2O3 , 纳米粉体

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