姜霞
,
赵正平
,
张志国
,
骆新江
,
杨瑞霞
,
冯志红
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.014
基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流Ⅰ-Ⅴ特性的解析模型.通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计.
关键词:
AlGaN/GaN
,
高电子迁移率晶体管
,
解析模型
,
自热效应
,
直流Ⅰ-Ⅴ特性
骆新江
,
王晓翠
,
杜慧玲
材料导报
在低频、射频和微波波段频率下,借助HP4192A阻抗分析仪和HP8720ET/ES网络分析仪,对3种Bi基焦绿石结构介电陶瓷材料BZN[(Bi1.5Zn0.5)(Zn05Nb1.5)O7]、BZS[(Bi1.5Zn05)(Zn0.5Sb1.5)O7]和BCZN[(Bi1.5Ca0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7]的介电频率特性进行了分析研究.结果发现:介电常数随着Bi基焦绿石结构中氧八面体间隙增大而增大;从低频到射频,BZN(ε≈160)、BZS(ε≈42)和BCZN(ε≈81)三体系介电常数都较高且很稳定,其介质损耗都很低(Tanδ≈10-4);在微波频段(4GHz)下,介电常数分别约为98.596、30.573和56.451.
关键词:
频率
,
焦绿石
,
介电常数
,
微波