张志坤
,
章俞之
,
边继明
,
孙景昌
,
秦福文
,
刘维峰
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13273
本研究成功地在石墨衬底上制备了低维ZnO材料,即一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜.采用X射线衍射、场发射扫描电镜、光致发光谱和反射谱等测量技术对石墨衬底上制备的低维ZnO纳米材料的晶体结构、形貌和光学特性进行了表征.结果发现在室温条件下,准一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜都表现出了较好的近带边发射,基本探测不到由杂质和缺陷等引起的深能级发光,并且这种低维ZnO材料/石墨衬底复合结构在300～800 nm光谱范围内具有较低的反射率.本实验结果对于ZnO基光电子器件性能的提高以及在太阳能电池领域的应用具有重要意义.
关键词:
ZnO
,
石墨
,
光致发光
,
高功率光电子器件
孙英岚
,
边继明
,
孙景昌
,
梁红伟
,
邹崇文
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10636
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列. 通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测. 结果表明, 六棱柱形ZnO纳米棒沿 c 轴方向的阵列性良好, 且均匀致密的生长在衬底上. 室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列. 使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量, 研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响. 另外, 对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
hydrothermal
,
photoluminescence
,
X-ray absorption near-edgespectroscope
赵佳明
,
边继明
,
骆英民
,
吕盛
,
李寿波
,
李欣
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2011.02.031
随着激光武器的迅猛发展,寻找一种适用于激光防护领域的新型材料,有效对抗激光致盲,已成为摆在各国面前非常现实的问题.二氧化钒(VO2)作为一种性能优异的功能材料,在68℃附近发生从低温半导体相到高温金属相的可逆突变.但由于钒氧体系的复杂性和纯VO2薄膜相变温度较高等关键问题尚没有完全解决,严重阻碍了其在热电开关、激光防护和温控装置等方面的实际应用.综述了VO2薄膜多种制备方法的原理和优缺点,并重点介绍了VO2薄膜在智能激光防护武器上的应用.
关键词:
二氧化钒薄膜
,
智能激光防护
,
相变
,
掺杂
赵佳明
,
边继明
,
孙景昌
,
张东
,
梁红伟
,
骆英民
功能材料
采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上生长氧化铟锡(ITO)薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等对ITO薄膜进行结构和光电性能表征.结果表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长ITO薄膜透明导电性能的主要因素,实验系统研究了溅射功率和沉积气压对ITO薄膜透明导电性能的影响机制.在优化的工艺条件下(溅射功率100W和沉积气压0.4Pa),制备了在可见光区平均透射率达86％、电阻率为3.1×10-4 Ω·cm的光电性能优良的ITO透明导电薄膜.
关键词:
磁控溅射
,
聚酰亚胺(PI)
,
柔性衬底
,
ITO透明导电膜
孙英岚
,
边继明
,
李庆伟
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10153
衬底的选择是得到高质量ZnO纳米棒的一个重要因素. 在95℃的较低温度下用CBD方法在不同衬底(石英玻璃, 硅和ITO玻璃)上生长ZnO纳米棒阵列. X射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)结果显示六角形的ZnO纳米棒致密垂直地生长在衬底上, 而纳米棒的平均直径和长度则与衬底的性质密切相关. 各种衬底的ZnO纳米棒阵列的室温光致发光(PL)光谱都可以观测到强烈的近带边紫外发射峰, 而无论是晶体还是非晶体, 经常可以观察到的与缺陷相关的深能级发射都几乎观察不到. 这意味着通过这种简便的低温化学方法可以获得高光学性能的ZnO纳米棒阵列. 此外, 不同衬底间UV发射的小幅度迁移可以用压应力来解释, 并用拉曼光谱进行了进一步的证明.
关键词:
ZnO
,
nanorod arrays
,
chemical bath deposition
,
photoluminescence
骆英民
,
支壮志
,
葛贝尔
,
李百芳
功能材料
以Zn(CH3COO)2·2H2O为源反应物,采用水热合成反应法成功地制备了杯状的氧化锌微晶粉体材料.X射线衍射(XRD)谱的结果表明获得了典型的六方结构晶体.扫描电子显微镜(SEM)照片观测到杯状的氧化锌微晶,并且单个微晶互相结合形成对称结构.实验发现,水热时间影响着晶体的形貌,对其结构变化机制进行了探讨.同时,通过室温光致发光(PL)光谱,对其光学性质进行了研究.
关键词:
杯状氧化锌微晶
,
水热合成方法
,
光致发光
,
制备
骆英民
,
马剑刚
,
徐海阳
,
刘益春
,
钟殿强
,
齐秀英
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.018
采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
电子束蒸镀
,
退火
,
Van der Pauw法
,
光致发光谱
刘欣
,
胡礼中
,
张贺秋
,
邱宇
,
赵宇
,
骆英民
人工晶体学报
利用化学气相沉积(CVD)方法生长出一种新颖的氧化锌(ZnO)微米刺球状结构,并使用该结构制备出一种新型压电应力传感器件.使用半导体特性分析系统(Keithley 4200)对器件特性进行测试,结果表明该种器件对所施加的应力高度敏感,开关比高达约60,比目前多数ZnO基压电应力传感器件高出数倍,在应力检测和机电开关等领域有很好的应用前景.
关键词:
氧化锌
,
微米刺球
,
化学气相沉积
,
压电应力传感器
,
开关比
孙英岚
,
边继明
,
李庆伟
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10153
衬底的选择是得到高质量ZnO纳米棒的一个重要因素.在95℃的较低温度下用CBD方法在不同衬底(石英玻璃,硅和ITO玻璃)上生长ZnO纳米棒阵列.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)结果显示六角形的ZnO纳米棒致密垂直地生长在衬底上,而纳米棒的平均直径和长度则与衬底的性质密切相关.各种衬底的ZnO纳米棒阵列的室温光致发光(PL)光谱都可以观测到强烈的近带边紫外发射峰,而无论是晶体还是非晶体,经常可以观察到的与缺陷相关的深能级发射都几乎观察不到.这意味着通过这种简便的低温化学方法可以获得高光学性能的ZnO纳米棒阵列.此外,不同衬底间UV发射的小幅度迁移可以用压应力来解释,并用拉曼光谱进行了进步的证明.
关键词:
ZnO
,
纳米棒阵列
,
化学池沉积法
,
光致发光
孙英岚
,
边继明
,
孙景昌
,
梁红伟
,
邹崇文
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10636
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测.结果表明,六棱柱形ZnO纳米棒沿c轴方向的阵列性良好,且均匀致密的生长在衬底上.室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列.使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量,研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响.另外,对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
水热法
,
光致发光谱
,
X射线吸收近带边谱
