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掺铁铌酸锂晶体的生长及其光折变位相共轭效应

高元恺

人工晶体学报

关键词:

用电共沉积方法制备InGaAs薄膜

王喜莲 , 李浴春 , 韩爱珍 , 高元恺 , 杨志伟

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.04.013

用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V-I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大.InGaAs薄膜的发射光波长为1.3～1.5μm.

关键词: InGaAs薄膜 , 电共沉积