高来勖
,
刘超
,
高智勇
,
安旭
,
蔡伟
,
赵连城
功能材料
采用直流磁控溅射技术沉积了Ni49.54Mn29.59Ga20.87磁驱动形状记忆合金薄膜.XRD结果表明,Ni49.54Mn29.59Ga20.87薄膜室温下为5层调制型结构马氏体.X射线光电子能谱(XPS)分析表明,放置于空气中2个月的沉积态薄膜表面吸附少量氧和碳杂质.随Ar+刻蚀深度的增加,表面C杂质易被剥蚀掉,而部分氧杂质以MnO状态存在;Ni、Mn、Ga元素含量由薄膜表面向内层逐渐增加,化学价由正价向零价转变.
关键词:
Ni-Mn-Ga
,
磁驱动形状记忆合金
,
薄膜
,
溅射
刘超
,
安旭
,
高来勖
,
高智勇
,
蔡伟
,
赵连城
功能材料
采用直流磁控溅射技术在单晶硅衬底上沉积Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜.试验结果表明,Ar工作压强对Ni-Mn-Ga薄膜化学成分有显著影响.Ni含量随Ar工作压强的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势.随Ar工作压强的升高,薄膜的e/a值逐渐增大,薄膜的相变温度逐渐升高,室温下可以获得具有四方结构马氏体相的Ni-Mn-Ga薄膜.
关键词:
Ni-Mn-Ga
,
形状记忆
,
铁磁性
,
薄膜