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温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响

常伟 , 范广涵 , 谭春华 , 李述体 , 雷勇 , 黄琨 , 郑品棋 , 陈宇彬

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.025

制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.

关键词: 光电子学 , 有机金属化学气相沉积 , 光子晶体 , 人工欧泊 , 温度

聚合物光纤预制棒的制备

孙婷 , 王耀祥 , 田维坚 , 章兴龙 , 黄昌清 , 黄琨 , 于惠霞

功能材料

本文研究了本体聚合法制备聚甲基丙稀酸甲酯聚合物光纤预制棒的方法,分析了链引发和链增长阶段温度和时间对聚合过程及聚合物光纤预制棒光谱性能的影响,并且制得了适用于光通讯低损耗窗口的光学性能较好的聚合物光纤预制棒.

关键词: 聚合物光纤预制棒 , 本体聚合法 , 透过率光谱

纳米石墨薄片的制备、表征与应用

黄琨 , 衣志勇 , 郭静 , 黄渝鸿 , 范敬辉

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.05.012

为了获得适宜于同聚合物进行纳米复合的纳米石墨薄片(NGS),采用微波膨化制备膨胀石墨(EG),利用超声剥离与表面修饰获得NGS,并借助SEM、XRD、FTIR等分析其微观结构.结果表明:EG由许多厚100-300 nm的石墨薄片连接而成并形成网络结构,孔隙尺寸约几十纳米到几十微米;通过对EG的超声剥离可破坏其原有网络结构并将石墨晶片进一步剥离为大量30-60 nm厚的石墨薄片;石墨微波膨化与超声剥离过程中微观形貌的变化及其表面活性基团的引入,有利于进一步借助插层法实现聚合物与石墨的纳米复合.

关键词: 膨胀石墨 , 超声剥离 , 纳米石墨薄片

聚合物/膨胀石墨纳米复合材料制备及其应用研究进展

黄琨 , 黄渝鸿 , 郭静 , 衣志勇

材料导报

总结了聚合物/膨胀石墨纳米复合材料的制备方法,分析了插层复合、力化学反应复合、分散复合、层离吸附复合等方法各自的特点,介绍了膨胀石墨的独特结构与性能,从气体阻隔性、导电性、减摩性、阻燃性等角度出发,分析了聚合物/膨胀石墨纳米复合材料的应用前景并展望了其发展趋势.

关键词: 膨胀石墨 , 插层复合 , 剥离

三元乙丙橡胶/石墨功能复合材料的制备与性能分析

黄琨 , 黄渝鸿 , 郭静 , 马艳

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.02.015

以超声波处理膨胀石墨得到的石墨纳米薄片为原料,采用熔融插层复合方法制备密封用三元乙丙橡胶/石墨功能复合材料,利用SEM与XRD分析石墨及其复合材料微观结构、利用透气仪分析复合材料气体阻隔性能.结果表明:三元乙丙橡胶与石墨形成插层型功能复合材料,其气体阻隔性能显著提高,有望成为气密性优异的新型橡胶密封材料.

关键词: 三元乙丙橡胶 , 膨胀石墨 , 石墨纳米薄片 , 插层复合 , 气体阻隔性能

核壳式无机-高分子纳米复合粒子的形成机理与表征技术

黄琨 , 向明 , 周德惠 , 胡文军

材料导报

简要介绍了一种制备核壳式无机-高分子纳末复合粒子的方法--乳液聚合,概述了核壳式无机-高分子纳米复合粒子的形成机理及其表征技术.

关键词: 乳液聚合 , 无机-高分子纳米复合粒子 , 核壳结构 , 表征

Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性

谭春华 , 范广涵 , 李述体 , 周天明 , 黄琨 , 雷勇

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.025

低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.

关键词: 光电子学 , X射线双晶衍射 , 金属有机化学气相沉积 , 量子阱 , 光荧光

AlGaInN四元系氮化物分离研究

黄琨 , 范广涵 , 刘颂豪 , 李述体 , 郭志友

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.05.026

氮基四元Ⅲ-Ⅴ族化合物可用于高亮度蓝光LED和高温、大功率及高频电子器件.可以通过改变AlxGayIn1-x-yN组分的大小,得到在与衬底晶格匹配的情况下不同的材料禁带宽度,但是由于在给定组分下AlGaInN难以稳定生长.所以应用价力场模型(VFF)研究它的热动力稳定性,得出了AlGaInN不稳定的二相区间,并且定量讨论两种组分确定的AlGaInN合金的富In区与温度的关系.希望对生长高质量AlGaInN材料起到参考作用.

关键词: 光电子学 , 相分离 , 价力场 , AlxGayIn1-x-yN , LED

熔融插层法制备EPDM/OMMT纳米复合材料研究

黄琨 , 郭静 , 衣志勇

材料导报

采用熔融插层法,通过插层剂优选、配方设计与工艺优化,制备了密封用三元乙丙橡胶/有机蒙脱土(EPDM/OMMT)纳米复合材料,借助XRD分析了其微观结构,利用TG分析了其热稳定性,并初步研究了其气体阻隔性能与相关力学性能.结果表明,EPDM与OMMT经熔融插层形成插层型纳米复合材料,气体阻隔性能得到显著提高,相关力学性能也得以改善.

关键词: 熔融插层 , 纳米复合材料 , 有机蒙脱土

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