黄立娟
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王磊
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杜军
中国稀土学报
采用脉冲激光烧蚀高纯YSi2靶,在n型Si(100)单晶村底上制备YSi2纳米颗粒.原子力显微镜(AFM)观察样品表面颗粒尺寸约40～50 nm.X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明,YSi2纳米颗粒成分为Y-O-Si.室温下对样品的光致发光(PL)性能进行测试,在500 nm处有一个较大的宽峰,409 nm附近出现强度较弱的发光峰.前者与样品中Y-O-Si电荷迁移带有关,后者为衬底表面纳米尺寸SiOx复合中心离子发光.室温下,对原位制备的薄膜电学(I-V/C-V)性能进行测试,结果表明薄膜的介电常数约为13.6.
关键词:
YSi2
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纳米颗粒
,
脉冲激光烧蚀
,
光致发光
,
I-V/C-V
,
稀土
黄立娟
,
王磊
,
杜军
中国稀土学报
采用脉冲激光烧蚀技术(PLA)在n型Si(100)单晶衬底上制备Tb-Si纳米颗粒.原子力显微镜(AFM)观察样品的表面形貌,发现样品表面是均匀分布的纳米颗粒,颗粒尺寸在10～20 nm之间,分布密度大约为6×1010/cm2.光电子能谱(XPS)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明,纳米尺度的单晶硅化物颗粒的主要成分为Tb-Si及少量Tb-Si-O结构.室温下以荧光为激发光对样品的光致发光(photoluminescence)性能进行测试,结果表明样品在可见光区具有较强的发光现象,主要有4个发光峰,分别位于485,545,585和620 nm附近,这些发光峰主要由Tb3+中电子在不同能级之间的跃迁造成.
关键词:
ThSi
,
纳米颗粒
,
光致发光
,
脉冲激光烧蚀
,
稀土
