邝俊峰
,
付国柱
,
高博
,
高文涛
,
黄金英
,
廖燕平
,
荆海
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.009
采用钨丝催化化学气相沉积(Cat-CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响.XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520 cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势.通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si-Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度.
关键词:
多晶硅薄膜
,
氢原子
,
催化化学气相沉积
张玉
,
荆海
,
付国柱
,
高博
,
廖燕平
,
李世伟
,
黄金英
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.008
采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层.这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能.文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si-Si键,保留与晶体硅匹配的Si-Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长.经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80 nm.而传统方法连续生长20 min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰.结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率.
关键词:
催化化学气相沉积法
,
多晶硅薄膜
,
非晶硅孕育层
,
氢原子刻蚀
,
晶核
,
晶化速率
黄金英
,
安吉宇
,
张志伟
,
赵玉环
,
荆海
,
凌志华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.011
设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路,并给出了驱动方法.应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程,详细分析了源(Source)电压VDD、存储电容Cs,以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的输出特性的影响.仿真结果表明,此电路可以在整个帧周期持续供给OLED器件电流,并且解决了由于各像素驱动管阈值电压的差异带来的OLED亮度的不均匀问题.
关键词:
有源OLED
,
非晶硅薄膜晶体管
,
像素驱动电路
,
仿真
黄金英
,
赵玉环
,
张志伟
,
荆海
,
凌志华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.008
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究.XRD测量结果表明非晶硅在500 ℃退火1 h后就已经全部晶化.金属诱导晶化的优选晶向为(220),而且晶粒随退火时间的延长而长大.非晶硅薄膜样品500 ℃下退火6 h后的扫描电镜照片显示,原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化,晶粒均匀,平均晶粒大小约为0.3 μm,而且已经发生横向晶化.EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明,金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化,除了少量残留在MILC多晶硅中外,其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿.500 ℃下退火20 h后样品的Raman测试结果也表明,金属离子向周边薄膜扩散,横向晶化了非晶硅薄膜.
关键词:
氢化非晶硅
,
多晶硅
,
金属诱导晶化
,
金属诱导横向晶化
宋林
,
徐征
,
赵谡玲
,
张福俊
,
黄金昭
,
黄金英
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.007
有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件.为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善.文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5 V,场效应迁移率0.025 cm2/V·s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
双栅
,
酞菁铜
