潘瑞琨
,
刘攀克
,
黎明锴
,
何云斌
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.001
采用脉冲激光沉积法(PLD),在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb∶SrTiO3,NSTO)上外延生长了15 nm厚度的BTO薄膜.并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术,分别测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构,证实了薄膜的外延生长特征.以磁控溅射法制备金属铂(Pt)上电极,在室温下测试了BTO薄膜的电流-电压(I-V)曲线.通过拟合I-V曲线,结果表明:在正向电压下,薄膜的漏电流符合空间电荷受限电流机制(SCLC);在反向电压下,漏电流先为普尔-弗伦克尔发射机制(Poole-Frenkel emission),随着反向电压的升高,转变为福勒-诺德海姆隧穿机制(Fowler-Nordheim tunneling).分析指出,在Pt/BTO界面存在一个可变的肖特基势垒,该势垒受到BTO薄膜内部迁移的氧空位影响,从而决定了上述漏电流机制.
关键词:
BaTiO3薄膜
,
结构
,
漏电流机制
,
肖特基势垒
张蕾
,
方龙
,
刘攀克
,
刘越彦
,
黎明锴
,
何云斌
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.05.042
采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜，并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系.首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响，结果表明，所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构；在衬底温度为750℃时所制备的薄膜具有较好的晶体质量，并表现出与蓝宝石衬底明确的外延关系[ZnS(001)∥Al2O3(001)且ZnS(110)∥Al2O3(110)].进一步研究了在750℃下加入不同厚度的ZnO 缓冲层对于ZnS薄膜晶体质量的影响，结果表明在沉积 ZnS 薄膜前先沉积一层 ZnO 薄膜缓冲层可以进一步有效提高ZnS薄膜的晶体质量和面外取向性，其中在沉积时间为2 min的 ZnO 缓冲层上制备的ZnS外延薄膜晶体质量最好，其(002)面摇摆曲线半高宽为1．35°.本文结论对于研究 ZnS 薄膜制备光电器件具有重要的意义.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnS薄膜
,
缓冲层
,
外延生长
,
晶体结构
