丁照崇
,
何金江
,
罗俊锋
,
李勇军
,
熊晓东
稀有金属材料与工程
以高纯W-Si合金粉(＞99.995％)为原料,采用真空热压烧结工艺制备高纯W-Si合金靶材.研究烧结温度、热压压力、保温时间等工艺条件对靶材密度、微观组织性能的影响.结果表明,烧结温度在1350～1380℃,热压压力25～30MPa,保温时间1.5～2 h,可制备出相对密度99％以上、平均晶粒尺寸100 μm以内的高性能W-Si合金靶材.
关键词:
高纯W-Si合金
,
磁控溅射靶材
,
真空热压烧结
丁照崇
,
陈明
,
刘书芹
,
王欣平
,
吕保国
稀有金属材料与工程
以高纯W粉、Si粉为原料,在真空环境下进行高温预合金化处理,制备了高纯W-Si合金粉.通过优化,确定了最佳预合金化温度为1000℃;合金粉中,单质W相消失,生成WSi2相.粉末粒度呈单峰分布,d50为21.037 μm,d90为50.905 μm,纯度可达到99.995％以上.采用合金粉烧结的磁控溅射靶材的微观组织、成分均匀分布,解决了W-Si靶材成分难以均匀的难题.
关键词:
高纯W-Si
,
预合金化
,
磁控溅射靶材
张维佳
,
王天民
,
崔敏
,
金飞
,
丁照崇
,
阎兰琴
稀有金属材料与工程
采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(Indium Tin Oxide)靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率.
关键词:
ITO
,
溅射靶
,
烧结剂
,
掺杂
