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王大海 , 李轶华 , 孙艳 , 吴渊 , 陈国军 , 王国柱 , 荆海 , 万春明
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.011
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过工艺参数的优化,使薄膜间的选择比在2～20可选择;并通过气体掺杂,实现了SiNx对p-Si的选择比从-1到2的反转.
关键词: 多晶硅薄膜晶体管 , 反应性离子刻蚀 , 刻蚀速率 , 选择比
