王光华
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季华夏
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张筱丹
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段瑜
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孙浩
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杨炜平
,
李牧词
,
金景一
,
万锐敏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0437
为了分析不同阴极耦合层对顶发射白光 OLED 器件光电性能的影响，数值计算了半透明阴极组成的多层膜系(ETL/EIL/Mg：Ag/折射率匹配层)的透过率和损耗；同时，采用共阴极结构设计制备了顶发射白光 OLED器件，并对不同折射率匹配层制备的顶发射白光 OLED器件的光电特性进行了研究。结果表明：采用相同厚度 LiF 和Al2 O3薄膜作为阴极耦合层时，多层膜系光学透过率和损耗曲线存在较大差异；在20 mA/cm2电流密度下，随着观测角度的增大，采用LiF＋Al2 O3双层折射率匹配层制备的器件电致发光谱峰位发生蓝移，但在整个视角内，器件的色坐标均稳定在白光等能点附近，这表明顶发射白光器件的色坐标可以通过折射率匹配层调节，使得器件在较大视角范围均能实现白光发射。
关键词:
有机发光器件
,
顶部发光
,
转移矩阵
,
光萃取层
陈雪梅
,
唐利斌
,
万锐敏
,
王茺
,
杨宇
材料导报
利用分子束外延(MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长了GaN0.01As0.99薄膜,然后使用光调制反射(PR)光谱研究了薄膜的光学性质和能带结构.PR光谱实验表明GaN0.01As0.99/GaAs薄膜价带在Γ点发生轻、重空穴分裂,且分裂的轻、重空穴带到导带边的2个跃迁峰随着温度的升高均发生红移.采用Varshni法则、Bose-Einstein关系和BAC模型分别对轻、重空穴的能隙分裂和红移特征进行了拟合.分析结果表明,随着温度的升高,GaNAs外延层与GaAs衬底间晶格失配的减少可能是导致应变能和价带分裂能量减少的主要因素.
关键词:
GaNxAs1-x薄膜
,
价带分裂
,
晶格膨胀
,
温度
