杨曜源
,
蔡以超
,
东艳苹
,
张力强
,
王向阳
,
肖红涛
,
田鸿昌
,
李卫
,
郝永亮
,
方珍意
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.026
本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.
关键词:
红外材料
,
ZnS
,
CVD
,
沉积速率
闫泽武
,
王和明
,
蔡以超
,
杨耀源
,
东艳苹
,
方珍意
,
李楠
,
孙振宇
,
李洪生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.006
本文报道了采用化学气相沉积法制备红外ZnS体块晶体的工艺及其性能.并用傅立叶红外光谱仪测试了材料的红外性能,研究了晶体缺陷对材料红外透过率的影响.结果表明:通过优化生长工艺,使反应室的压力在500～1000Pa之间变化,沉积温度控制在550～650℃之间,可以制备出厚度均匀,红外透过率(3-5μm和8～12μm)在70%以上,尺寸达250mm×250mm×15mm高质量的ZnS体块晶体.
关键词:
硫化锌
,
化学气相沉积法
,
红外性能
,
红外晶体
闫泽武
,
王和明
,
蔡以超
,
杨耀源
,
东艳苹
,
范志达
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.008
本文报道了用化学气相沉积(CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌(ZnS)的制备工艺,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响.XRD,XEM及IR表明,采用优化的沉积工艺和热等静压后处理,减少晶体中杂质、微孔、六方结构ZnS及Zn-H键的形成,使生长的CVD ZnS具有高的红外透过率,提高了材料的光学品质.
关键词:
化学气相沉积法
,
硫化锌
,
缺陷
,
热等静压
,
红外透过率
