欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(3)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

碳纳米管阵列栅极冷阴极场发射增强因子的计算

戴剑锋 , 乔宪武 , 张嵩波 , 王青 , 李维学

功能材料

垂直于栅极冷阴极六角排列的碳纳米管(CNTs)阵列是最具有应用前景的CNTs场发射平面显示器结构.计算了该结构尖端及侧壁的电势和电场分布以及场增强因子.计算结果表明:CNTs尖端处电场强度很大,随着半径Υ的增加,电场强度急剧减小;CNTs长径比L/Υ越大,尖端电场越强;栅孔半径R越大,CNTs顶端电场强度越小.

关键词: 碳纳米管阵列 , 六角排列 , 场发射 , 栅极冷阴极

CNTs定向排列的CNTs/PMMA电导率低突增效应研究

戴剑锋 , 高建龙 , 乔宪武 , 王青 , 李维学 , 杜晓芳

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.001

基于有效介质理论(Effective-Medium Theory,EMA)模拟计算了碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)定向排列的CNTs复合材料的电导率及其渗流阈值.结果表明复合材料的电导率及渗流阈值强烈地依赖于CNTs的定向度、长径比和结构.通过计算复合材料电导率的增长率随CNTs含量的关系曲线,可确定出电导率的渗流阈值,其结果与实验基本符合,并对存在的差异给予了合理的解释.

关键词: 碳纳米管 , 复合材料 , 电导率 , 渗流阈值

碳纳米管栅极冷阴极结构场发射计算

乔宪武 , 江影 , 戴剑锋

功能材料

目前通常有两种方法对CNT-FED场发射进行计算,即镜像悬浮球法和解拉普拉斯方程的方法,虽然解拉普拉斯方程的方法比较复杂,但可以计算出完整的CNTs结构空间各点电场情况.通过解拉普拉斯方程的方法研究了CNTs栅极冷阴极这种符合实际情况且有广泛应用前景的结构.计算结果表明,CNTs尖端处电场强度很大,随着半径r的增加,电场强度急剧减小;场增强因子随CNTs长径比的增加而增加,对于长径比一定的CNTs阵列,对应着一个最佳阵列密度;栅极电压对这种CNTs结构的电流密度有很强的控制作用;并且在极板间距变化的情况下得出了CNTs周围电流密度分布;随着栅极电压的增大,CNTs尖端电流密度随之增大,极板间距减小也可提高CNTs尖端电流密度.

关键词: 碳纳米管阵列 , 场发射 , 栅极冷阴极 , 电流密度

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词