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纳米碳化硅表面修饰的工艺研究及结构表征

宿辉 , 刘辉 , 乔春玉 , 曹茂盛 , 原小寓 , 王晓丹 , 崔旭光 , 胡明星

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.04.002

针对(SiC)p纳米微粒在应用中存在的易团聚、材料间相容性差等关键技术问题,采用化学镀方法对(SiC)p纳米微粒进行了表面修饰.设计了实验方案,优化了工艺参数.实验结果表明,预处理过程、镀液的温度、pH等对修饰效果影响较大.确定适合的工艺参数,镀液θ为45℃、pH为9.0.电子显微镜、能谱仪等仪器表征显示,修饰后的SiC微粒近球形,形貌均匀,有明显的核、壳部分,核壳处不同的衬度表明(SiC)p微粒表面沉积了较多的金属Ni,形成了碳化硅-镍核壳结构复合粒子.

关键词: (SiC)p微粒 , 核壳结构 , Ni , 化学镀 , 结构表征

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