于灵敏
,
祁立军
,
范新会
,
刘建刚
,
严文
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2005.04.008
在外加电场的条件下,利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线,借助扫描电镜、X射线能谱分析仪和透射电镜等对硅纳米线进行了研究.结果表明:定向排列的硅纳米线以两种形式存在,一种是分散的平行排列,另一种是象麻花状的定向排列.同时,硅纳米线一般都处在两个结点之间;当电场不稳定时,可得到部分分叉的硅纳米线.
关键词:
硅纳米线
,
定向排列
,
外加电场
于灵敏
,
范新会
,
岳苗
,
祁立军
,
严文
功能材料
以不同金属掺杂的ZnO纳米线为气敏材料,在350℃下对不同浓度的H2气体进行了气敏性能测试.结果表明,掺杂Ag的ZnO纳米线在H2浓度为2.52×10(-3)时具有较高的气体灵敏度28.549.同时,利用Origin软件对测得的气敏性能曲线进行线性拟合,对未知的H2浓度进行了有效判定.还对金属掺杂提高ZnO纳米线气敏性能的原因进行了分析,认为金属的化学状态可能是ZnO纳米线气敏性能提高的物理本质.
关键词:
ZnO纳米线
,
气体灵敏度
,
气体浓度
,
线性拟合
张克良
,
范新会
,
于灵敏
,
马雪红
,
严文
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.03.022
采用物理热蒸发ZnS粉的方法,制备出了大规模的线状和棒状ZnO纳米结构.借助扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激光拉曼光谱仪以及荧光光谱仪研究了ZnO纳米线的表面形貌、内部结构及其光学性能.结果表明,所得到的ZnO纳米线是六方的单晶结构,而且具有较好的发光性能和良好的结晶性.纳米线长约2～5μm,直径约60nm,其生长机制为气-固(VS)机制.
关键词:
热蒸发法
,
氧化锌纳米线
,
光学性能
于灵敏
,
朱长纯
,
岳苗
,
范新会
,
祁立军
功能材料
利用浸渍法将ZnO纳米线浸渍于AgNO3溶液中制备了Ag 掺杂的ZnO纳米线.借助X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对纳米线的晶体结构和形貌进行了表征.结果表明纳米线既含面心立方结构的Ag又含有六方纤锌矿结构的ZnO.三维网络结构的ZnO纳米线被一层致密的Ag颗粒包裹并在其表面形成了大量的具有高比表面剂的孔洞结构.将纯的和Ag掺杂的ZnO 纳米线都作为酒敏传感材料,在酒精浓度为0.001%,工作温度为150～400℃的范围内测试了它们的气敏特性,结果显示,Ag掺杂的ZnO纳米线的酒精灵敏度比纯ZnO纳米线提高了14.在工作温度为350℃的条件下测试了它们的响应-恢复时间.气敏元件的酒敏特性主要归结于表面吸附效应.
关键词:
掺杂
,
ZnO纳米线
,
气敏传感器
刘建刚
,
范新会
,
陈建
,
于灵敏
,
严文
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.030
研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线.场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化.在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制.
关键词:
热蒸发
,
硅纳米线
,
气-液-固机制
,
氧化辅助生长机制
于灵敏
,
范新会
,
刘建刚
,
刘春霞
,
严文
材料导报
主要介绍用物理热蒸发法制备硅纳米线阵列,借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)观察硅纳米线的形貌,分析其化学成分及晶体结构,研究非晶硅纳米线在外加电场下的生长过程,讨论外加电场对非晶硅纳米线定向排列生长的影响以及铜粉在其中起的作用.
关键词:
硅纳米线
,
定向排列
,
外加电场
,
带电团簇模型
于灵敏
,
祁立军
,
范新会
,
严文
,
朱长纯
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.07.020
在外加电场的条件下利用物理热蒸发法成功制备出CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管,纳米线阵列沿平行于电场方向生长.借助SEM、EDX和TEM以及XRD,研究了外加电场对CdS纳米线生长的影响.结果表明:外加电场大大促进了CdS纳米线定向排列生长;但是,低温区获得的CdS纳米带和纳米管没有任何方向性.
关键词:
CdS纳米线
,
纳米带
,
纳米管
,
外加电场
于灵敏
,
张克良
,
马雪红
,
范新会
,
严文
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2007.09.019
利用物理热蒸发法通过控制载气流量和氧气流量制备出具有倒V字形尖端的ZnO纳米线,利用荧光光谱仪、拉曼光谱仪对ZnO纳米线的光致发光性能和拉曼散射性能进行了测试.结果表明:与其它形状的ZnO纳米线的光致发光性能不同,该ZnO纳米线在423～458 nm区域有二个宽频带强蓝光发射,在527 nm处出现一个非常弱的绿光发射,没有发现紫外光发射;相对于ZnO纳米粉,ZnO纳米线的拉曼光谱峰发生约3 cm-1红移,主要来源于光子限制效应.
关键词:
ZnO纳米线
,
光致发光谱
,
拉曼光谱
