井源源
,
刘艳辉
,
孟亮
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.01.015
采用Fe膜热硫化技术制备了具有不同比表面积和比晶界面积的FeS2薄膜,并测定其载流子浓度和电阻率,研究了FeS2薄膜表面和晶界等面缺陷对FeS2薄膜电学性能的影响.结果表明,表面和晶界两种面缺陷对FeS2薄膜的电学性能有类似的影响规律.在一定范围内,随着薄膜比表面积和比晶界面积的增大,载流子浓度提高而电阻率下降.面缺陷数量的变化可导致FeS2晶体中点缺陷数量、禁带中缺陷能级密度、不充分相变产物比例和相变应力水平的变化,从而导致载流子浓度和电阻率的变化.
关键词:
无机非金属材料
,
FeS2
,
晶体缺陷
,
载流子浓度
,
电阻率
