陈曦
,
王涛
,
周伯儒
,
何杰
,
李阳
,
杨帆
,
徐亚东
,
查钢强
,
介万奇
人工晶体学报
采用移动加热器法,成功生长出尺寸为φ55 mm×70 mm的CdZnTe晶体.采用电子探针、光致发光谱等方法,测试了晶体径向的成分和缺陷分布,并与垂直布里奇曼法生长的同成分CdZnTe晶体进行了对比分析.结果表明,移动加热器法生长的CdZnTe晶体沿径向的成分和缺陷分布均匀,均优于垂直布里奇曼法生长的晶体.
关键词:
CdZnTe
,
移动加热器法
,
成分
,
缺陷均匀性
周岩
,
介万奇
,
何亦辉
,
蔺云
,
郭欣
,
刘惠敏
,
王涛
,
徐亚东
,
查钢强
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.028
通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm；退火后,在晶体表面,直径＜45μm 的 Te 夹杂密度显著增大；而在晶体内部,直径＜5μm 和＞25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸＜5μm 的 Te 夹杂颗粒.
关键词:
CdZnTe
,
Cd/Zn 合金
,
退火
,
Te 夹杂
,
迁移机制
刘惠敏
,
王涛
,
何亦辉
,
周岩
,
张昊
,
徐亚东
,
查钢强
,
介万奇
人工晶体学报
基于缺陷化学理论,考虑到富Te的CdTe晶体中可能存在的点缺陷,建立了在Te气氛下退火时,热力学平衡态晶体中的点缺陷模型,其中包括Cd间隙(Cdi)、Cd空位(VCd)、Te间隙(Tei)和Te反位(TeCd).利用质量作用定律和伪化学平衡方程计算了富Te情况下本征CdTe晶体中的点缺陷浓度和费米能级.计算结果系统的揭示了点缺陷浓度、费米能级、Te压以及退火温度之间的关系,发现只有TeCd浓度足够大时才能对费米能级产生钉扎作用.
关键词:
缺陷化学
,
CdTe
,
点缺陷
,
费米能级
王泽温
,
介万奇
,
李培森
,
谷智
,
刘长友
,
李强
,
查钢强
,
汪晓芹
稀有金属材料与工程
采用范德堡法在77 K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量.结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25%和31%,而霍尔系数和载流子浓度的变化幅度只有2%左右.化学抛光前,晶片表面损伤层内存在大量位错,对载流子的迁移造成散射,使得损伤层中的霍尔迁移率降低,但化学抛光前所测得的霍尔迁移率反而比抛光后的大,增幅最小的也达到了21%.本研究在3层模型的基础上,通过理论分析和计算,对这一反常现象以及化学抛光前后其它电学参数的变化进行了解释.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
表面损伤层
,
电学参数
,
霍尔迁移率
王跃
,
李全保
,
韩庆林
,
马庆华
,
宋炳文
,
介万奇
,
周尧和
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.010
为选择合理的晶体生长速度,在用改进Bridgman法生长直径为φ19mm的HgCdTe(x=0.21)晶体过程中,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火,以观察其固液界面形态.初步的实验结果表明:在2mm/d及9mm/d的两种生长速度条件下,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面,但其凹陷深度分别为10mm和14mm.较低的晶体生长速度条件下,凹陷深度较小,固液界面形态较平.由实验和讨论得知,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体.
关键词:
布里奇曼法
,
HgCdTe晶体
,
晶体生长速度
,
固液界面形态
,
凹陷深度
高俊宁
,
袁妍妍
,
何亦辉
,
于晖
,
仝俊利
,
王涛
,
介万奇
功能材料
采用场发射扫描电镜和X射线衍射技术研究了生长结束后的降温过程对以近空间升华法生长的CdZnTe薄膜形貌与结构的影响。分析了快速（炉冷，673K以上-8K／rain）和慢速（-2K／min）两种降温速率下获得的CdZnTe薄膜的结构与形貌，并考察了降温中是否阻断生长源向薄膜的传质的影响。结果表明，所得到的薄膜均为闪锌矿结构，降温时薄膜的持续生长将抑制晶粒在平面内铺展而使其棱角钝化的趋势，以较慢的速率降温和降温时阻断传质均有利于提高薄膜的致密度，降低粗糙度及薄膜的织构强度。
关键词:
Ⅱ—Ⅵ族半导体
,
CdZnTe薄膜
,
近空间升华
杨睿
,
孙晓燕
,
刘长友
,
徐亚东
,
查钢强
,
王涛
,
介万奇
人工晶体学报
利用碲溶剂法生长Zn1-xCrxTe晶体晶锭,用红外透过显微镜及扫描电子显微镜观察了晶锭不同位置富碲相的分布与形态.结果表明:晶锭的外围存在一层富碲相,Zn1-xCrx Te晶体的中部碲夹杂相较少,碲在晶界处易富集；红外透过显微成像所显示的晶粒内部的较大碲夹杂相呈六边形,而晶界处的碲夹杂相形状不规则.
关键词:
Zn1-xCrTe
,
碲溶剂法
,
富碲相
李强
,
介万奇
,
傅莉
,
汪晓芹
,
查钢强
,
曾冬梅
,
杨戈
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.052
对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度.用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进行CZT晶片的C-V特性测试,结果表明钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,减小了漏电流.主要原因是在CZT表面钝化生成的TeO2氧化层增加接触势垒高度,并减小了电荷因隧道效应而穿过氧化层的几率.
关键词:
CZT晶体
,
PL谱
,
I-V特性
,
C-V特性
谢涌
,
介万奇
,
王涛
,
崔岩
,
高俊宁
,
于晖
,
王亚彬
功能材料
采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列.发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽＜500 μeV.通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni 模型的拟合相当好,而在60～150K,Vina模型的拟合效果更优.3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3.
关键词:
ZnO
,
纳米线
,
光致发光
,
自由激子
,
束缚激子
,
X射线衍射
坚增运
,
李娜
,
常芳娥
,
方雯
,
赵志伟
,
董广志
,
介万奇
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00625
用分子动力学模拟研究了Cu熔体以不同速率冷却微观结构的演变规律.结果表明, 冷却速率在1012.6 K/s到 1014.5 K/s之间时,Cu熔体凝固后形成了非晶体与晶体的混合体; Cu熔体中的原子团簇、临界晶核及凝固后晶体的结构均是由hcp和fcc结构层状镶嵌排列构成, 这说明Cu凝固后形成的层状镶嵌结构起源于形核阶段; 冷却速率小于1013.3 K/s时, Cu层状镶嵌结构中具有fcc结构的原子数多于hcp结构的原子数, 而冷却速率大于1013.3 K/s后, hcp结构的原子数多于fcc结构的原子数; Cu非晶基体中晶态结构原子团簇的尺寸小于临界晶核尺寸时, 虽然用HA键型指数法能确定出一定数量晶态结构原子键对的存在,但径向分布函数反映不出其晶态结构的特征.
关键词:
分子动力学模拟
,
cluster
,
subcritical nuclei
