周海龙
,
黄柏标
,
潘教青
,
于永芹
,
尉吉勇
,
陈文澜
,
齐云
,
张晓阳
,
秦晓燕
,
任忠祥
,
李树强
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.025
在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果.由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高A1GaInP LED的器件的稳定性.
关键词:
稳定性
,
发光二极管
,
厚度
于永芹
,
黄柏标
,
尉吉勇
,
潘教青
,
周海龙
,
齐云
,
陈文澜
,
秦晓燕
,
张晓阳
,
任忠祥
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.018
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3 nm和6 nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843 nm和942 nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因.
关键词:
InGaAs/AlGaAs量子阱
,
MOCVD
,
量子尺寸效应
,
应变效应
马德营
,
李佩旭
,
夏伟
,
李树强
,
汤庆敏
,
张新
,
任忠祥
,
徐现刚
人工晶体学报
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000 μm、条宽150 μm的宽面半导体激光器.采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD).透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍.激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W.在热沉温度为20 ℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h.
关键词:
窗口结构
,
Zn扩散
,
热阻
,
AlGaInP
,
半导体激光器
