何知宇
,
赵北君
,
朱世富
,
王瑞林
,
陈松林
,
李艺星
,
罗政纯
,
任锐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.010
本文报道了对硒化镉(CdSe)合成反应的反应焓变,反应熵变,Gibbs自由能以及配料的化学计量的分析计算,从热力学角度论证了在中温(～650℃)下直接液相合成高纯CdSe的可能性.按照理论分析结果选择技术参量进行了CdSe液相合成实验,并采用X射线粉末衍射谱法对合成产物进行了分析,结果证实了热力学分析的正确性.
关键词:
热力学
,
合成
,
CdSe
,
XRD
李艺星
,
赵北君
,
朱世富
,
王瑞林
,
陈松林
,
何知宇
,
罗正纯
,
任锐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.015
采用改进的垂直无籽晶气相法生长大尺寸高质量的CdSe单晶体要求原料的纯度高.本文根据差热(DTA)和热失重(TG)测试结果,设计出连续抽空区域升华提纯CdSe原料的新方法,用该方法提纯的原料生长出大尺寸、高质量的CdSe单晶体.等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明,新方法对CdSe的提纯是有效的,纯化后的原料可以生长出大尺寸高质量的CdSe单晶体.
关键词:
硒化镉
,
提纯
,
差热分析
,
热重分析
,
等离子体质谱分析鲻
罗政纯
,
朱世富
,
赵北君
,
王瑞林
,
陈松林
,
何知宇
,
李艺星
,
任锐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.008
用双氧水对CdSe单晶(110)表面进行钝化,采用X射线光电子能谱(XPS)分析了湿氧处理的CdSe(110)表面的化学特征.通过两次不同分析模式FAT(固定通能)和FRR(固定减速比)所得到的结果表明:CdSe表面出现Se偏析,表面上形成了SeOx(x＜1),SeO、Cd(OH)2和CdCO3的高电阻稳定氧化层,消除了器件表面态,可以减少器件的表面漏电流和改善其信噪比.
关键词:
CdSe单晶体
,
表面钝化
,
XPS
叶林森
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
任锐
,
王瑞林
,
钟雨航
,
温才
,
李佳伟
功能材料
硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料,实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了Φ15mm×40mm,电阻率为107～108(Ω·cm)量级的硒化镉单晶体.对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试,结果显示:硒化镉单晶体完整性好,红外透过率＞62%,表明用二步提纯,在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体,能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比.
关键词:
硒化镉
,
晶体生长
,
气相垂直提拉
,
电阻率
,
红外表征
温才
,
赵北君
,
朱世富
,
王瑞林
,
何知宇
,
任锐
,
罗政纯
,
李艺星
功能材料
通过变温(20～300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.
关键词:
CdSe单晶体
,
核辐射探测器
,
霍尔效应
钟雨航
,
朱世富
,
赵北君
,
任锐
,
何知宇
,
叶林森
,
温才
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.008
采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.
关键词:
硒化镉
,
机械化学抛光
,
抛光液
,
金相显微镜
,
电阻率
