王天石
,
何劼
,
夏乐洋
,
陈科璞
,
吾提库尔
,
温潇
,
杜建成
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2006.06.003
镁合金AZ91D经微弧氧化处理后得到与基体结合牢固、表面多孔的氧化膜,研究了在该氧化膜上涂覆有机涂层进行封孔的方法,利用扫描电镜从复合膜层的横截面分析了有机涂层对微弧氧化膜层的封孔情况,并对封孔后的镁合金表面膜层的结合性能和耐腐蚀性能进行了初步试验分析.研究表明,有机涂层能渗入微弧氧化膜孔洞内5～30μm,与氧化膜层结合紧密.经1% HCl溶液浸泡试验,结果表明经过有机封孔后的微弧氧化膜层的耐腐蚀性能大大提高.
关键词:
镁合金
,
微弧氧化
,
有机封孔
,
耐腐蚀
何宏辉
,
曾庆圣
,
王天石
,
霍天成
,
何劼
,
杜建成
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2006.02.028
研究了AZ31镁合金在不同电压条件下的成膜效果,着重研究了在固定正电压而改变负电压的情况下的成膜厚度、致密度、耐腐蚀性能等差别,讨论了负电压在成膜过程中的作用,并且比较了在不同的溶液体系中负电压对于成膜性能以及二次放电现象的影响.结果表明:较低的负电压能在一定程度上促进氧化膜的生长,使致密的氧化层变厚,提高膜的性能.而高负电压会加速成膜速度并导致较为剧烈的二次放电现象,使膜的致密性降低,从而降低膜的性能.
关键词:
镁合金
,
微弧氧化
,
负电压
曾庆圣
,
何宏辉
,
霍天成
,
王天石
,
何劼
,
杜建成
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2005.05.008
研究了镁合金AZ31在磷酸盐和硅酸盐两种不同的溶液体系下生成氧化膜的性质,比较了多种因素,特别是负电压对于生成氧化膜的影响;并且通过X射线衍射(XRD)等方式分别确定了两种不同溶液条件下氧化膜的成分.结果表明:较低的负电压有利于氧化膜的生长,延缓二次放电现象的发生.在我们得到的氧化膜中,最主要的成分为高温相的MgO,不同于以往条件下得到的普通相MgO氧化膜,能提高镁合金的一部分性能.
关键词:
镁合金
,
微弧氧化
,
氧化膜
,
负电压
,
等离子体
何劼
,
宋高峰
,
鲁鑫
,
毛协民
上海金属
doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2011.04.007
含铋高硅铝合金是一种具有自润滑特性的优异摩擦副材料,但它的偏晶反应导致在制备中产生严重的比重偏析.为此提出了高温度梯度逐层凝固的概念,并设计制造了高温度梯度逐层凝固连铸试验装置,解决了含铋偏晶合金最难克服的比重偏析问题,实现了铋相在过共晶铝硅合金均匀弥散分布,在过共晶高硅铝合金高耐磨的特性上增加了低摩擦系数的自润滑特性.
关键词:
偏晶合金
,
含铋过共晶Al-Si合金
,
比重偏析
,
高温度梯度逐层凝固
,
自润滑
,
高耐磨
