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砷化镓晶片表面损伤层分析

郑红军 , 卜俊鹏 , 曹福年 , 白玉柯 , 吴让元 , 惠峰 , 何宏家

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.04.001

采用TEM观测与X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,分析了SI-GaAs晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度.比较两种方法测量结果上的差异,得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度,而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤层及其形成应力区的总厚度的结论.

关键词: 砷化镓 , 切片 , 磨片 , 抛光片 , 表面损伤层

离子束外延生长(Ga,Mn,As) 化合物

杨君玲 , 陈诺夫 , 刘志凯 , 杨少延 , 柴春林 , 廖梅勇 , 何宏家

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.04.012

利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外延层,另一部分锰离子成功注入到 GaAs 基底里,注入深度约为 160 nm.衬底温度为 523K 时获得了 Ga5.2Mn 相,衬底温度为 673K 时获得了 Ga5.2Mn、Ga5Mn8 和 Mn3Ga 相.在 1113K 条件下对 673K 生长的样品进行退火,退火后样品中原有的 Mn3Ga 消失,Ga5Mn8 峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn 仍然存在而且结晶更好,并出现 Mn2As 新相.

关键词: (Ga,Mn,As) 化合物 GaAs 单晶 质量分析的低能离子束

半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题

李成基 , 李韫言 , 王万年 , 何宏家

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.006

建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差.

关键词: 半绝缘砷化镓 , Hall测量 , 电阻率 , 迁移率

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