迟振华
,
王天生
,
漆汉宏
,
于栋利
,
何巨龙
,
刘世民
,
田永君
,
李东春
物理测试
doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2003.04.002
探索了采用化学气相沉积法,在LaAlO3单晶基片上原位制备了MgB2超导薄膜.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜的相纯度不理想,扫描电子显微镜(SEM)观察表明薄膜的表面比较粗糙,用标准四引线法测得薄膜的起始转变温度(TConset)为30 K,零电阻温度(TCO)为18 K.
关键词:
二硼化镁
,
超导薄膜
,
化学气相沉积
,
原位
胡前库
,
于栋利
,
漆汉宏
,
孙雅馨
,
王天生
,
何巨龙
,
刘世民
,
李东春
,
田永君
功能材料
研究了高压Ar气氛中750℃低温下Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成及其性能的影响.结果表明采用名义比为Tl1.9Ba2Ca2Cu3Oy的混合物作铊源时,生成的Tl2O分压达到最佳值.在该Tl2O分压下,获得了单相c取向的Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜,其Tc值达到108K;高于该分压时,薄膜中出现Tl2Ca3O6、Tl2O3等杂相,导致膜面粗糙度增大和Tc值下降;低于最佳Tl2O分压,薄膜中生成了Tl2Ba2CaCu2O8和Tl2Ba2Ca2Cu3O10的共生相,导致Tc值下降;而Tl2O分压的进一步降低,则薄膜在铊化中不形成超导相.
关键词:
超导薄膜
,
铊系
,
氩气
,
氧化铊
何巨龙
,
田永君
,
于栋利
,
刘世民
,
李阿丹
,
胡前库
,
李东春
金属学报
采用硼酸(H3BO3)和三聚氰胺(C3N6H6)合成单相六方B-C-N多晶粉末,用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨电镜(HREM)和电子能量损失谱(EELS)对合成产物的结构、晶体学参数、成分等进行了分析.结果表明,H3BO3和C3N6H6的配比对产物的组成有较大影响.当二者的质量比为1:2时,可以得到单相六方B-C-N多晶固溶体,其晶格参数a=0.251 nm,c=0.666 nm.从HREM照片观察到层片结晶性较好,而且晶体结构完整.用EELS分析得到产物的化学成分为(B1-xCx)N,其中x=0.09-0.18.
关键词:
B-C-N
,
null
,
null
何巨龙
,
田永君
,
于栋利
,
刘世民
,
李阿丹
,
胡前库
,
李东春
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.07.017
采用硼酸(H3BO3)和三聚氰胺(C3N6H6)合成单相六方B-C-N多晶粉末,用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨电镜(HREM)和电子能量损失谱(EELS)对合成产物的结构、晶体学参数、成分等进行了分析.结果表明,H3BO3和C3N6H6的配比对产物的组成有较大影响.当二者的质量比为1:2时,可以得到单相六方B-C-N多晶固溶体,其晶格参数a=0.251 nm,c=0.666 nm.从HREM照片观察到层片结晶性较好,而且晶体结构完整.用EELS分析得到产物的化学成分为(B1-xCx)N,其中x=0.09-0.18.
关键词:
B-C-N
,
化学合成
,
晶体结构
吴庆华
,
胡前库
,
孙广
,
罗晓光
,
何巨龙
功能材料
以硼酸和三聚氰胺为原料,采用化学法制备了乱层石墨结构的B-C-N化合物.在5.5GPa、800～1500℃条件下对该化合物进行了高温高压处理.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及电子能量损失谱(EELS)对所制备的样品进行了结构、形貌和成分分析.研究结果表明:在5.5GPa压力下,随着温度的升高,B-C-N化合物逐渐由乱层石墨结构转变为六方结构,在1200℃时,得到了结晶较好的六方B-C-N化合物,同时样品中含有少量的六方BN和非晶C.当温度高于1400℃,B-C-N化合物完全分解成六方BN和石墨.
关键词:
六方B-C-N
,
高温高压
,
晶化
,
分相
席红延
,
何巨龙
物理测试
利用高温高压的方法合成了单相ReB2块材,研究了不同载荷对ReB2单晶与多晶块体所测硬度值的影响.纳米压痕仪测得ReB2单晶的渐近线硬度值为(32.2±1)GPa;显微硬度计测得ReB2多晶块材的渐近线硬度值为(17.1±0.5)GPa,表明ReB2是一种高硬度材料,而不是一种超硬材料.另外根据材料的拉曼振动模与硬度的内在关系,估算了ReB2单晶的硬度,其计算值与实验值相吻合.
关键词:
ReB2
,
合成
,
单晶硬度
,
多晶块材硬度
,
拉曼振动模
何巨龙
,
田永君
,
于栋利
,
刘世民
,
李东春
物理测试
doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2001.04.006
采用化学法合成了乱层石墨结构B-C-N化合物,在不同温度下进行高温处理后,经X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨电子显微镜(HREM)和X射线能谱(EDX)对合成产物的结构、晶体学参数、成分等进行分析.结果表明,处理温度对乱层石墨结构B-C-N化合物的晶化有较大影响.随处理温度增加,B-C-N化合物由乱层石墨结构向多晶体转变.1600℃处理后可以得到纯六方B-C-N多晶固溶体,晶格参数为a=0.251 mm,c=0.666 mm.EDX测定出晶化后B-C-N化合物的成分为B0.41C0.09N0.50.
关键词:
六方BCN
,
化学合成
,
晶格参数
胡前库
,
吴庆华
,
罗晓光
,
孙广
,
何巨龙
功能材料
通过高温高压方法制备了一种晶化程度较高的类石墨层状BC3化合物.在5.5GPa压力条件下,温度越高,制得的硼碳样品晶化越好,电阻率越小.在1500℃、5.5GPa下制得的层状硼碳样品的电阻率ρ=1.2×10-4Ω·m,略大于同等条件下制备的纯碳样品的电阻率ρ=1.1×10-4Ω·m.这种层状硼碳化合物在620℃左右开始氧化,比纯碳样品的初始氧化温度高大约100℃,替代的硼明显的改善了碳的抗氧化性能.
关键词:
层状硼碳化合物
,
电阻率
,
高温高压
,
抗氧化
王天生
,
于栋利
,
田永君
,
何巨龙
,
李东春
,
李林
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.11.019
用氮离子束分别原位溅射Ti和石墨靶的方法制备了CNx/TiNy多层膜.用X射线光电子谱分析CNx层中C和N的键合状态,用透射电镜观察薄膜中的相形貌,用电子衍射和X射线衍射的方法分析相的结构.结果表明,CNx层中主要有N-sp2C和N-sp3C两种键合状态,薄膜中观察到的C-N化合物尺寸为10-60 nm的晶体颗粒,其衍射数据可用立方C3N4结构标定,证实了该薄膜中存在立方C3N4化合物
关键词:
C-N化合物
,
离子束溅射
