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付文博 , 刘庭良 , 何绪林 , 张静全 , 冯良桓 , 武莉莉 , 李卫 , 黎兵 , 曾广根 , 王文武
功能材料
对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件（CPE）等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温度的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,弛豫时间缩短。
关键词: CdTe , 多晶薄膜 , 交流阻抗 , 晶界
