李玲霞
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郭炜
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吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
,
余昊明
稀有金属材料与工程
利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统.由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大值,在1 290℃烧结时介电常数达到5 000以上,容量变化率△C/C≤±15%;在系统中加入适量助熔剂可以实现中温烧结(1 150℃),介电常数大于3 600,容量变化率△dC≤±12%,满足X7R特性要求,可用于厚膜EMI滤波介质瓷料的制备.
关键词:
先驱体
,
NiNb2O6
,
MnNb2O6
,
EMI
,
滤波
李玲霞
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郭炜
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
,
余昊明
无机材料学报
Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位Ag+离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的损耗因子,使系统的介电性能达到:ε>500, tgδ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃,ρv>1012Ω·cm。
关键词:
高频高介
,
ANT
,
relaxation polarization
,
dissipation factor
李玲霞
,
郭炜
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
,
余昊明
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.019
Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可 以在1150℃以下进行中温烧结.在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位Ag+ 离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下 降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的 损耗因子,使系统的介电性能达到:ε＞500,tg δ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃, ρv＞1012Ω·cm.
关键词:
高频高介
,
ANT
,
松弛极化
,
介电损耗
