俞文杰
,
张正选
,
张恩霞
,
钱聪
,
贺威
,
田浩
,
陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.008
通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态.随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率.模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因.
关键词:
SOI
,
总剂量辐射
,
背沟道
,
掩埋氧化层
孟骁然
,
平云霞
,
常永伟
,
魏星
,
俞文杰
,
薛忠营
,
狄增峰
,
张苗
,
张波
功能材料与器件学报
本文详细研究了高锡含量锗锡合金(Ge0.92Sn0.08)与镍在退火条件下的反应.通过表层电阻测试、原子力显微镜和透射电镜等表征手段,我们分别研究了镍锗锡材料在300℃、400℃、500℃温度下退火后的表面和界面形貌.研究表明:与镍和锗反应相比,镍和锗锡材料反应生成的镍锗锡薄膜热稳定性变差,退火温度400℃后镍锗锡薄膜表层电阻就迅速增加,样品表面变得不连续,团聚为平均长度200nm左右的岛状晶粒,样品表面和界面与电学性质都遭到了破坏.
关键词:
锗锡合金
,
镍
,
热稳定性
刘张李
,
邹世昌
,
张正选
,
毕大炜
,
胡志远
,
俞文杰
,
陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.05.001
综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论.指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制.最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力.
关键词:
控制电路
,
存储单元
,
单粒子效应
,
电荷损失
王茹
,
张正选
,
俞文杰
,
毕大炜
,
陈明
,
刘张李
,
宁冰旭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.017
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固.辐射实验结果证明了该加固方法的有效性.PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力.
关键词:
绝缘体上硅
,
注氧隔离
,
总剂量辐照
,
纳米晶
文娇
,
刘畅
,
俞文杰
,
张波
,
薛忠营
,
狄增峰
,
闵嘉华
功能材料与器件学报
利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/SiGe/Si异质结中Si/SiGe异质界面互混的现象.结果表明:应变弛豫前Si/SiGe异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/SiGe异质界面的硼(B)浓度梯度抑制了界面互扩散.总之,Si/SiGe互扩散作用越强诱发Si/SiGe异质界面越粗糙,从而导致器件性能恶化.
关键词:
Si/SiGe互扩散
,
热载荷
,
硼浓度梯度
张波
,
俞文杰
,
薛忠营
,
魏星
功能材料与器件学报
本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si08Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响.研究结果充分表明:C+离子注入的Si08Ge02衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi08Ge0.2的热稳定性.此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8Ge02/Si0.8Ge0.2的界面,大幅度降低了Ni-Si0.8 Ge0.2表面和NiSi0.8 Ge0.2/Si0.8Ge0.2界面的粗糙度,高剂量C+注入的样品效果更为明显.
关键词:
镍
,
硅锗
,
碳
田浩
,
张正选
,
张恩霞
,
贺威
,
俞文杰
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.016
利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及60Coγ射线总剂量辐照实验.实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和.实验分析并研究了这种现象的机理,并发现在较低的辐照剂量下60Coγ射线造成的背栅阈值电压漂移量较大,但在高剂量条件下 X射线造成的漂移量将超过60Coγ射线.
关键词:
注氧隔离
,
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐射效应
,
MOS晶体管
