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平均电流密度对脉冲镀镍钨合金微观形貌和性能的影响

王永光 , 赵永武 , 陈广 , 倪自丰

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2010.11.003

在硫酸镍15 g/L,钨酸钠30 g/L,柠檬酸35 g/L,烷基有机添加剂1.5 g/L,pH为7,温度65℃的条件下,研究了平均电流密度对脉冲镀镍钨合金镀层的外观、结合力、显微硬度、沉积速率,镀层中钨含量及表面微观形貌的影响.结果发现,随着平均电流密度的增大,镀层中钨含量增加,镀层硬度先增大而后趋于恒值.过高和过低的平均电流密度都会引起镀层缺陷,最佳的平均电流密度为5~8A/dm2.

关键词: 镍钨合金镀层 , 脉冲电镀 , 平均电流密度 , 显微硬度 , 微观形貌

平均电流密度对脉冲镀镍钨合金微观形貌和性能的影响

王永光 , 赵永武 , 陈广 , 倪自丰

电镀与涂饰

在硫酸镍15 g/L,钨酸钠30g/L,柠檬酸35 g/L,烷基有机添加剂1.5 g/L,pH为7,温度65℃的条件下,研究了平均电流密度对脉冲镀镍钨合金镀层的外观、结合力、显微硬度、沉积速率、镀层中钨含量及表面微观形貌的影响.结果发现,随着平均电流密度的增大,镀层中钨含量增加,镀层硬度先增大而后趋于恒值.过高和过低的平均电流密度都会引起镀层缺陷,最佳的平均电流密度为5~8 A/d㎡.

关键词: 镍钨合金镀层 , 脉冲电镀 , 平均电流密度 , 显微硬度 , 微观形貌

胶粘陶瓷涂层中氧化锌含量对涂层显微组织的影响

王永光 , 倪自丰 , 陈国忠 , 陈安琪 , 马松涛 , 赵永武

材料保护

用高温胶粘剂制备胶粘陶瓷涂层施工简易,但制备温度过高时涂层易起泡开裂;纳米氧化锌可与磷酸二氢铝胶粘剂迅速反应以降低涂层制备温度.以磷酸二氢铝为胶粘剂,氧化铝、氧化锆和硅酸锆为陶瓷骨料,高铝水泥为固化剂,氧化铬为消泡剂,纳米氧化锌为表面调和剂,在45钢表面制备了胶粘陶瓷涂层.采用光学显微镜观察了不同氧化锌含量的陶瓷涂层表面的裂纹长度和深度,并基于液滴观测法,研究了不同氧化锌含量的陶瓷涂层的孔隙率.结果表明:随氧化锌含量的增加,胶粘陶瓷涂层表面裂纹的长度和深度先增加后减少,气孔率逐步减少;当氧化锌含量为1.6g时,获得了致密、无开裂、无气孔的陶瓷涂层.

关键词: 胶粘陶瓷涂层 , 胶粘剂 , 磷酸二氢铝 , 氧化锌 , 裂纹 , 气孔率

SnO2纳米线的制备及其光致发光特性

倪自丰

机械工程材料

采用锡单质直接氧化法在850℃制备了SnO2纳米线,采用X射线衍射仪和X射线能谱仪对SnO2纳米线进行了物相分析,用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其形貌进行了观察,并在荧光光谱仪上研究了其光致发光特性。结果表明:制备的SnO2纳米线具有正方金红石结构,其尺寸均匀一致,长度为数十到数百微米,有的甚至达到数毫米,直径约为100nm;其生长机理由气一固(VS)生长机制控制;室温下,其光致发光谱在395nm(3.14eV)处有一强峰,在310nm(4eV)处有一弱峰,发光主要是由单离子氧空位引起。

关键词: SnO2 , 纳米线 , 气一固生长机制 , 光致发光

碳热还原法制备SnO2纳米带及其表征分析

倪自丰 , 应鹏展 , 罗勇 , 戴新联 , 刘涛

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00609

将高纯SnO2粉和石墨粉以一定的比例混合, 放入陶瓷舟中, 再将陶瓷舟放入一管式加热炉中加热至1100℃, 在流动的高纯氩气中保温2.5h, 制得白色絮状物. X射线衍射(XRD)分析表明, 所制备的样品为具有正方金红石结构的SnO2. 扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析表明, 所制备的样品为尺寸均匀一致的纳米带. 选区电子衍射(SAED)结果证实所制备的SnO2纳米带为单晶. 通过对其生长过程及机理分析可知, SnO2纳米带的生长是由气-固(VS)生长机制来控制的.

关键词: 二氧化锡 , nanobelt , quasi-one dimensional nanostructure , vapor-solid(VS) process

碳热还原法制备SnO2纳米带及其表征分析

倪自丰 , 应鹏展 , 罗勇 , 戴新联 , 刘涛

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.04.007

将高纯SnO2粉和石墨粉以一定的比例混合,放入陶瓷舟中,再将陶瓷舟放入一管式加热炉中加热至1100℃,在流动的高纯氩气中保温2.5h,制得白色絮状物.X射线衍射(XRD)分析表明,所制备的样品为具有正方金红石结构的SnO2.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析表明,所制备的样品为尺寸均匀一致的纳米带.选区电子衍射(SAED)结果证实所制备的SnO2纳米带为单晶.通过对其生长过程及机理分析可知,SnO2纳米带的生长是由气-固(VS)生长机制来控制的.

关键词: 二氧化锡 , 纳米带 , 准-维纳米结构 , 气-固(VS)生长机制

CeO2/SiO2复合磨粒合成与表征

徐来军 , 倪自丰 , 陈国美 , 白亚雯 , 赵永武

硅酸盐通报

以SiO2溶胶作内核,分别以(NH4)2Ce(NO3)6、CO(NH2)2混合溶液与Ce(NO3)3·6H2O、HMT混合溶液作壳层前驱体,均相沉淀工艺制备了两种不同的CeO2/SiO2复合磨粒.利用XRD、TEM和FF-IR对比了两种磨粒的物相组成、纳米形貌和化学结构,并对包覆机理进行了解释;结果表明:以(NH4)2Ce(NO3)6、CO(NH2)2为原料制备的CeO2/SiO2复合磨粒包覆程度低;以Ce(NO3)3·6H2O、HMT为原料制备的CeO2/SiO2复合磨粒为壳-核包覆结构完整的纳米微球,粒径约110 nm,核层为无定形SiO2,壳层为立方萤石型CeO2颗粒,CeO2壳层与SiO2内核之间存在Si-O-Ce化学键,形成了稳定的壳核结构.

关键词: SiO2 , CeO2 , 复合磨粒 , 壳核结构

pH值对SiC单晶表面润湿性及电学性质的影响

陈国美 , 倪自丰 , 白亚雯 , 滕康 , 赵永武

人工晶体学报

采用液滴捕捉技术,测量了不同pH值下SiC单晶-水界面间的三相接触角,并通过理论计算,研究了不同pH值对SiC单晶表面张力、铺展系数、表面电势和表面电荷密度的影响.结果表明,水溶液在SiC单晶表面的三相接触角随着溶液pH值的增加先增大后降低,最大接触角出现在pH 5~6之间;在强酸性和强碱性环境中, SiC单晶表面润湿性较好,尤其在强碱性环境下,其表面润湿性能最好.由理论计算可知,当pH<5时,SiC单晶表面电势和表面电荷密度为正,且其值随着溶液pH值的减少而增加;当pH>6时,SiC单晶表面电势和表面电荷密度为负,且其绝对值随着溶液pH值的增加而增加.

关键词: 碳化硅 , 接触角 , pH值 , 表面电势 , 表面电荷密度

纳米阵列阳极氧化铝模板的制备及其形成机理

胡宁宁 , 葛世荣 , 倪自丰

材料保护

多孔阵列阳极氧化铝模板为合成大面积的准一维纳米丝和纳米管微阵列提供了一种有效的载体.采用二次氧化法,制备了孔径在30~40 nm之间的纳米阵列氧化铝模板,分析了纳米阵列阳极氧化铝模板形成的热力学原理、动力学原理及孔的形成机理.采用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行了表征,通过扩孔试验得到了孔径与扩孔时间的关系.用XRD衍射仪对纳米薄膜的成分和形态进行了分析,证明了制备的氧化膜是非晶态的.

关键词: 阳极氧化 , 多孔氧化铝模板 , 热力学 , 动力学 , 成孔机理

锡催化生长氧化硅纳米线的制备和表征

倪自丰 , 刘利国 , 王永光

材料研究学报

使用高纯SnO2粉和石墨粉混合物作为锡催化剂的来源,硅片作为硅的来源和产物生长的基底,用化学气相沉积法在硅片上准备了有序排列的氧化硅纳米线组成的微米结构,用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线能谱仪(EDX)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射谱图(SAED)对其进行了表征.结果表明:直径为5-15 μm,长度达到50-100 μm的微米结构由紧密排列的非晶氧化硅纳米线组成,氧化硅纳米线的直径为100-200nm,长度达到50-100 μm.根据对其生长过程的分析,锡催化生长表现出不同于传统的VLS机制,一颗锡催化剂液滴能同时诱导多根纳米线的生长.根据室温下的光致发光谱分析,非晶氧化硅纳米线在395 nm(3.14 eV)处有一强峰,激发波长为260nm(4.77 eV).

关键词: 无机非金属材料 , 氧化硅纳米线 , 化学气相沉积 , 碳热还原法 , 光致发光

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