陈朝
,
傅仁武
,
陈松岩
,
刘宝林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.042
用MOCVD方法生长了n+-InP/n-InP/SI-InP材料,以HfO2为介质膜,用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET.直流特性测量表明,跨导gm=80-115ms/mm,开启电压VT-3.62V,沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·S,界面态密度NSS=9.56×1011cm-2.设计计算的特征频率fT=97.1GHz,最高特征频率fmax=64.7GHz,尚未发现器件性能的漂移现象.本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分.
关键词:
磷化铟(InP)
,
绝缘栅场效应管(MISFET)
,
光电集成(OEIC)
