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Co2+掺杂Zn2SiO4结晶釉生长机理的研究

徐新民 , 江向平 , 傅小龙 , 杨帆 , 邵虹 , 熊珊

人工晶体学报

以高岭土、石英、钠长石、石灰石、氧化锌等矿物为原料,ZnO为晶核剂,并掺杂Co2+控温烧结Zn2 SiO4结晶釉.利用X射线衍射仪(XRD)分析样品物相,白度色差计测量釉料色度(L*、a*、b*),EDS能谱仪分析样品组成含量.采用Johnson-Mehl-Avrami (JMA)方程对釉的结晶动力学进行分析,探讨釉中晶体的生长机理.结果表明:高温时Co2+置换了Zn2SiO4结晶釉中的Zn2+.随着保温时间的延长,掺杂了Co2+的Zn2SiO4晶体颗粒不断长大,在1140℃下保温170 min晶花达到最大,其晶花面积均值为410.91 mm2.模拟动力学分析,釉中晶体的Avrami指数n1100℃ =0.82,n1140℃=1.23,n1180℃=1.12,表明晶体的形成由扩散机制向成核机制转变.拟合Arrhenius方程,晶体的活化能Ea=148.2 kJ/mol.

关键词: Zn2SiO4 , 结晶釉 , 动力学 , JMA方程

(1-x)Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9铋层状铁电陶瓷结构与性能研究

涂娜 , 江向平 , 李小红 , 傅小龙 , 杨帆

人工晶体学报

采用传统固相法制备了(1-x)Bi4Ti3 O12-xSrBi2 Nb2 O9(BIT-SBN,x=0,0.025,0.050,0.100,0.150,0.200)铋层状无铅压电陶瓷.系统研究了SrBi2 Nb2 O9掺杂对Bi4Ti3 O12基陶瓷物相结构、微观结构以及jie电性能的影响.结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构;当SBN掺量为0.100时,样品具有最佳的电性能:d33=21 pC/N,相对密度ρ =98.1%,机电耦合系数kp=8.26%,εr=220,介电损耗tanδ =0.29%,剩余极化强度Pr=9.128 μC/cm2,Tc=594℃.同时,SBN的引入增强了样品的抗老化性和热稳定性.

关键词: Bi4Ti3O12 , SrBi2Nb2O9 , 铋层状 , 铁电陶瓷 , 介电性能

Ce掺杂0.9Bi4Ti3O12-0.1K0.5Na0.5NbO3铋层状压电陶瓷结构与性能研究

涂娜 , 江向平 , 陈超 , 傅小龙 , 杨帆

稀有金属材料与工程

采用传统固相法制备了CeO2掺杂0.9Bi4Ti3O12-0.1K0.5Na0.5NbO3 (BTO-KNN)铋层状陶瓷材料.系统研究了CeO2掺杂对BTO-KNN基陶瓷物相结构、微观结构以及电性能的影响.结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构;BTO-KNN基陶瓷的压电性能随着CeO2的掺杂而显著提高,损耗明显降低.当CeO2掺量为0.75%(质量分数)时,样品具有最佳的电性能:d33=28 pC/N,介电损耗tanδ=0.29%,机械品质因数Qm=2897,剩余极化强度Pr=11.83 μC/cm2,且居里温度 Tc高达615℃;研究结果表明CeO2掺杂0.9Bi4Ti3O12-0.1K0.5Na0.5NbO3铋层状陶瓷是一种潜在的高温陶瓷材料.

关键词: 铋层状 , 压电陶瓷 , 微观结构 , Bi4Ti3O12

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