孙祖庆
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张来启
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杨王
,
王月
,
傅晓伟
金属学报
采用高温压缩实验研究了不同体积分数SiC含量对原位合成MoSi2-SiC复合材料在1000--1400℃的屈服强度及流变应力的影响.结果表明,与单一MoSi2材料相比,复合材料的高温强度随SiC含量的增加而明显提高高温屈服强度σv和第二相SiC粒子间距λs服从σy=σ0+kλ-1s2关系式.结合组织结构的研究结果对其相间障碍强化的高温强化机制进行了初步探讨.
关键词:
MoSi2-SiC复合材料
,
null
孙祖庆
,
张来启
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杨王玥
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傅晓伟
,
朱静
金属学报
原位合成MoSi2-SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2的断裂韧性组织结构的TEM与HREM研究结果表明:原位合成MoSi2/SiC界面为直接的原子结合,无SiO2非晶层存在结合对该复合材料的KIc断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明,其室温增韧机制为MoSi2-SiC界面间较高的结合力、MoSi2基体晶粒细化及裂纹偏转和桥接.
关键词:
MoSi2-SiC复合材料
,
null
傅晓伟
,
杨王玥
,
张来启
,
孙祖庆
,
朱静
金属学报
研究了含30%SiC(体积分数)的热压原位合成MoSi2基复合材料及对比用的商用MoSi2与SiC混粉热压材料在1200-1400℃的压缩蠕变行为.结果表明,在60-120 MPa应力条件下,原位合成复合材料的稳态蠕变速率都可维持在10-7s-1量级或更低的水平.高于1300℃,原位合成材料的稳态蠕变速率明显低于商用混粉材料的主要原因是MoSi2/SiC相界面为纯粹的原子结合,无SiO2非晶相存在.蠕变机制为位错蠕变,MoSi2基体中的位错类型为〈110〉与〈100〉.
关键词:
MoSi2/SiC复合材料
,
null
,
null
,
null
傅晓伟
,
张济山
金属学报
本文提供了基于喷射沉积过程的整体计算模型的系统优化软件. 在计算模型中, 对该过程众多参数进行了细致的考虑, 并作适当简化, 以节省计算时间输入不同工艺参数, 可直接预测沉积坯特性, 以便选择合理参数. 该软件经多次实验验证, 误差较低.
关键词:
喷射沉积
,
null
,
null
,
null
傅晓伟
,
杨王玥
,
张来启
,
孙祖庆
,
朱静
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.07.013
研究了含30%SiC(体积分数)的热压原位合成MoSi2基复合材料及对比用的商用MoSi2与SiC混粉热压材料在1200-1400℃的压缩蠕变行为.结果表明,在60-120 MPa应力条件下,原位合成复合材料的稳态蠕变速率都可维持在10-7s-1量级或更低的水平.高于1300℃,原位合成材料的稳态蠕变速率明显低于商用混粉材料的主要原因是MoSi2/SiC相界面为纯粹的原子结合,无SiO2非晶相存在.蠕变机制为位错蠕变,MoSi2基体中的位错类型为〈110〉与〈100〉.
关键词:
MoSi2/SiC复合材料
,
原位合成
,
蠕变
,
位错
