关中杰
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靳映霞
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王茺
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叶小松
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李亮
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杨宇
人工晶体学报
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响.实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大.在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层.Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm.
关键词:
Ge薄膜
,
低温Ge缓冲层
,
射频磁控溅射
叶小松
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王茺
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关中杰
,
靳映霞
,
李亮
,
杨宇
功能材料
利用磁控溅射技术在Si（100）衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
关键词:
磁控溅射
,
Ge/Si纳米点
,
表面形貌
,
热化
