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王伟 , 金志浩 , 关堂新
材料导报
以滤纸和酚醛树脂为原料,经模压固化、碳化制备了具有三维不规则孔隙结构的多孔碳,再经过高温气相渗硅得到SiC/C复合材料.SEM结果表明,SiC/C复合体遗传了多孔碳前驱体的显微结构,同时SiC/C复合体具有较好的弯曲强度和气孔率.提出了一种简单的反应模型,对硅的气相反应和扩散过程进行了解释.
关键词: 多孔碳 , 气相浸渍 , SiC陶瓷 , 反应机理
