欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(8)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

化学氧化法制备掺杂态聚苯胺及其表征

王杏 , 关荣锋 , 张号 , 杨洁 , 赵文卿

材料导报

利用化学氧化法,以过硫酸铵为氧化剂制备了掺杂态聚苯胺,研究了温度、时间和氧化剂用量对盐酸掺杂聚苯胺产率的影响.结果表明:反应温度对聚合物的产率有明显影响,当反应温度从0℃增加到25℃左右时,产率从53%增加到66%,进一步升高温度,其产率反而会下降.随着反应时间的延长,聚苯胺的产率会增大,这说明延长反应时间可提高聚苯胺的转化率,室温下合理的反应时间约为6h.氧化剂过硫酸铵与盐酸的摩尔比为1时,反应充分,产率高.显微结构分析表明掺杂态聚苯胺呈束状,并且层叠现象比较突出.

关键词: 聚苯胺 , 化学氧化 , 盐酸掺杂 , 产率 , 结构

磁控溅射与硫化热处理制备β-In2S3薄膜及光电性能

关荣锋 , 尤亚军

功能材料 doi:10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.70.25

采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β‐In2 S3薄膜。应用XRD、拉曼光谱仪及U V‐Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能。结果表明,溅射功率和硫化热处理温度是影响薄膜品质的主要因素,比较合适的溅射功率为100~140 W ,硫化热处理温度为450℃,过高的热处理温度容易在薄膜中形成缺陷,在薄膜生长过程中容易产生In5 S4杂相,相比之下,溅射气体压强对薄膜品质的影响较小,溅射气体压强可选择在04.~06.Pa。光学与电学性能测试结果指出,得到的β‐In2 S3薄膜具有良好的光谱透过率,属n型半导体,可用于太阳能电池缓冲层。

关键词: 薄膜太阳电池 , β-In2 S3 , 磁控溅射 , 硫化 , 热处理

领结型和椭圆型保偏光纤的应力和模式分析

关荣锋 , 李占涛 , 甘志银 , 黄德修 , 刘胜

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.029

应用有限元方法对领结型和椭圆型保偏光纤的热应力双折射特性和模式双折射进行了分析,给出了这两种保偏光纤的应力和双折射分布规律.对领结型保偏光纤,研究了纤芯的双折射和模式双折射随着应力区离纤芯距离的变化规律;对椭圆型保偏光纤,研究了纤芯的应力双折射和模式双折射随包层椭圆度的变化规律;分析了光纤应力区结构对纤芯双折射大小和均匀性的影响,并将应力诱导双折射与模式理论计算结果进行了比较.

关键词: 光纤光学 , 保偏光纤 , 有限元方法 , 应力诱导双折射 , 模式分析

分步滴定法制备YAG荧光粉

李帅谋 , 关荣锋 , 李勤勤

材料导报

在室温下,采用分步滴定法得到高亮度LED所用的Y3-x-y Gdx Cey Al5 O12荧光粉,并以0.1mol/L的碳酸氢铵和氨水为沉淀剂,将其分步滴入金属盐离子混合液中,研究了掺杂Gd离子对荧光粉发光性能的影响.结果表明,以Ce为激活中心,最佳掺量为0.06,加入助熔剂后,荧光粉的发光性能提高了50%左右;随着Gd3+取代量的增加,荧光粉样品发射光谱的峰值波长可红移5~10m,同时,Gd3+对发光中心Ce3+的影响增强,当取代浓度x为0.1时发光最强.XRD测试结果表明Gd离子的掺入对YAG相的形成并没有影响.

关键词: 发光 , 温度依赖 , 荧光粉 , 光谱调控

分步滴定法制备YAG荧光粉

关荣锋 , 李帅谋 , 李勤勤

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2012.01.004

采用分步滴定沉淀法在室温下制备Y3-xCexAl5O12荧光粉,采用0.1 mol/L的碳酸氢铵和氨水做为沉淀剂,将其分步滴入金属盐离子混合液中.研究了pH、助熔剂浓度、溶剂等对荧光粉发光性能的影响.结果表明,Ce作为激活中心,最佳掺入壁为0.06,pH =8时制备出的样品发光性能最优,采用4%的氟化钠荧光粉强度最高,采用80%的乙醇代替水制备的荧光粉发光性能最好,制成的荧光粉粒径为15μm左右.

关键词: 发光 , 助熔剂 , 荧光粉 , 分步滴定

电沉积制备CuInS2半导体薄膜及其光学性能研究

孙倩 , 关荣锋 , 张大峰

人工晶体学报

利用电化学循环伏安法研究了Cu2、In3+及S2O2-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料CuInS2半导体薄膜.为提高膜层的结晶度,选取空气、Ar、及Ar+S三种气氛对沉积的膜层进行热处理,SEM、XRD及Raman光谱结果表明,经Ar气氛中硫化热处理才可以得到结晶度好且形貌均匀致密的薄膜.Cu2+/In3+比影响薄膜的结晶生长,结果表明,随着Cu/In比的增大,薄膜以典型的黄铜矿结构为主,当沉积电位为-0.8V且Cu2+/In3=1.8时基底上得到的高质量CuInS2半导体薄膜的光学带隙是1.55 eV.

关键词: 半导体薄膜 , 太阳能电池 , CuInS2 , 黄铜矿结构 , 光学带隙

无压渗透法制备SiCp/Al复合材料工艺优化研究

刘树杰 , 关荣锋 , 王杏

材料导报

无压渗透法是制备SiCp/Al复合材料的重要技术.应用实验方法系统地研究了无压渗透法的工艺参数和添加元素对制备工艺的影响.结果表明,在无压渗透法制备SiCp/Al复合材料的工艺过程中,浸渗温度是浸渗过程顺利进行的重要因素,900℃的浸渗温度为最佳浸渗温度.适量加入Mg元素能提高熔融金属Al和增强体SiC颗粒之间的浸润性,获得结合强度好、孔洞和疏松较少的SiCp/Al复合材料,Mg元素的最佳含量约为1.2%(质量分数).适量添加Si元素能增强熔融铝液的流动性,降低SiC颗粒与Al液间的表面张力,改善其润湿性.

关键词: SiCp/Al , 无压渗透 , 制备工艺 , 工艺优化

白光LED用红色荧光粉SrMoO4: Eu3+,Gd3+的制备与表征

关荣锋 , 李勤勤 , 孙倩

人工晶体学报

采用共沉淀法合成了红色荧光粉Sr1-x-yMoO4∶ Eu3+x,Gd3+y,分别对样品进行了X射线衍射(XRD)分析、扫面电镜(SEM)和荧光光谱(PL)的测定.结果表明:所合成的样品均为单一纯相四方晶系结构,添加Gd3+(为0.35mol时)使主衍射峰的位置右移了0.35°;SEM照片显示:SrMoO4∶ Eu3+和SrMoO4∶Eu3+,Gd3+颗粒尺寸分布相对均匀,为类方块状,颗粒大小约为1~3μm;Gd3+和Eu3+的共掺得到的SrMoO4∶ Eu3+,Gd3+在616 nm处主发射峰的发光强度约是SrMoO4∶Eu3+的2.09倍;当掺杂x=0.25 mol和y=0.35 mol时,在近紫外光(395 nm)激发下,SrMoO4Eu3+,Gd3+得到616 nm处红光发射极峰.

关键词: 白光LED , SrMoO4∶ Eu3+,Gd3+ , 红色荧光粉 , 共沉淀法

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词