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溅射时间对Mo薄膜结晶取向的影响

张艳霞 , 冀亚欣 , 欧玉峰 , 闫勇 , 李莎莎 , 刘连 , 张勇 , 赵勇 , 余洲

功能材料

采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响.研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向.溅射时间较短(5~10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向.溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高.随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织.

关键词: 直流磁控溅射 , 择优取向 , 晶带模型 , 电性能

CIGS电池、靶材及单靶溅射工艺研究进展

王丹 , 余洲 , 冀亚欣 , 闫勇 , 欧玉峰 , 晏传鹏 , 刘连 , 张勇 , 赵勇

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.03.025

综述了蒸发法、溅射后硒化法、单靶直接溅射法制备CIGS光吸收层的工艺和电池性能,比较了它们的优缺点;详细介绍了粉末冶金参数(如烧结温度、压力、时间)对制备CIGS靶材致密度、成分均匀性的影响;着重阐述了单靶溅射工艺参数(如衬底温度、溅射功率、工作气压)对沉积的CIGS薄膜的相结构、形貌、光学及电学性能的影响.

关键词: CIGS电池 , 粉末冶金 , 单靶溅射 , 光电性能

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