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利用HRXRD和UV-Vis反射光谱确定AlGaN/GaN/Al2O3的结构与成分

季振国 , 冯丹丹 , 席俊华 , 毛启楠 , 袁苑 , 郝芳 , 陈敏梅

材料科学与工程学报

结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题.这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaN HEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本.

关键词: X射线衍射 , 紫外-可见反射 , 无损检测

利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压

季振国 , 张春萍 , 冯丹丹 , 柯伟青 , 毛启楠

材料科学与工程学报

利用溶胶-凝胶法制备了Zn_(1-x)Mg_xO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征.XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加.I-V特性曲线表明,基于Al/Zn_(1-x)Mg_xO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节.上述现象表明,Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn_(1-x)Mg_xO薄膜中电子的本征跃迁有关.

关键词: Zn_(1-x)Mg_xO , 薄膜压敏电阻器 , Mg掺杂 , 阈值电压

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