王浩
,
谢生
,
冯志红
,
刘波
,
毛陆虹
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.010
采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的 In-AlN/GaN HEMT 器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明，在关态和开态应力后，器件直流特性明显退化，退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明，关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的；而开态应力引起的退化是沟道热电子被势垒层陷阱及表面态俘获产生的。因此，只有消除表面态和势垒层陷阱或者隔绝表面态形成的虚栅才能有效抑制电流崩塌。偏置应力引起的性能退化是可逆过程，在无外界激励时，经过10 d左右的静置，器件基本恢复初始性能。
关键词:
高电子迁移率晶体管
,
电流崩塌
,
偏置应力
,
铟铝氮
,
氮化镓
姜霞
,
赵正平
,
张志国
,
骆新江
,
杨瑞霞
,
冯志红
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.014
基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流Ⅰ-Ⅴ特性的解析模型.通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计.
关键词:
AlGaN/GaN
,
高电子迁移率晶体管
,
解析模型
,
自热效应
,
直流Ⅰ-Ⅴ特性
刘金龙
,
李成明
,
陈良贤
,
刘青
,
王晶晶
,
冯志红
材料热处理学报
原位测试了氢终结金刚石膜在氮气保护和大气气氛中加热时的表面导电特征,分析并讨论了该导电沟道的高温稳定性.结果表明,室温下氢终结金刚石表面电导率均在10-5S量级.随着温度的升高,N2气氛下的金刚石膜表面电导率呈现逐渐下降的趋势,而大气中加热的金刚石膜表面电导率则出现了明显的台阶式降低.对于后者而言,金刚石表面在120℃发生的第二层水分子脱附和230℃下CH基团的分解,是其电导率发生阶梯式下降的主要原因.而在氮气(N2)气氛下氢终结金刚石膜表面导电沟道表现出更高的分子水脱附温度(300℃)和氢分解温度(400℃),表明气氛保护可有效提高氢终结金刚石表面导电沟道的稳定性.
关键词:
氢终结
,
金刚石膜
,
表面导电性
,
稳定性
