邹凯
,
李蓉萍
,
刘永生
,
田磊
,
冯松
稀土
结合化学水浴法和真空电子束热蒸发法在玻璃衬底上制备了含有不同厚度Pr掺杂层的CdS多晶薄膜,并对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行了研究.结果表明,未掺杂的CdS薄膜为沿[111]晶向择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为N型.Pr掺杂并未改变CdS薄膜的物相结构和择优取向,但衍射峰强度增加;掺Pr后CdS薄膜的晶粒尺寸增大,致密性提高,并且薄膜在可见光范围内的透过率增加,光学带隙变大.同时还发现CdS中掺Pr后影响了薄膜的电学性能,掺杂浓度较低时CdS薄膜电阻率增大,掺杂浓度较高时薄膜的电阻率降低并且导电类型由N型转变为P型.
关键词:
CdS薄膜
,
Pr掺杂
,
化学水浴法
,
光学特性
邹凯
,
李蓉萍
,
刘永生
,
田磊
,
冯松
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.03.007
采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.
关键词:
ZnTe薄膜
,
Sb掺杂
,
真空蒸发
,
光学性能
,
电学性能
冯松
,
李庆海
,
杜宝辉
,
沈良骏
,
韩冬林
高分子材料科学与工程
以正丁基溴为引发剂,卤化亚铜/联吡啶(bpy)为催化剂,研究了甲基丙烯酸甲酯(MMA)与末端为丙烯酰胺基的聚氧化乙烯(PEO)大单体的原子转移自由基聚合(ATRP)反应,得到的实测分子量与理论分子量相近,分子量分布较窄,有预期结构的接枝共聚物,用IR、1H-NMR、VPO、GPC、DSC等进行表征,并对单体总浓度、投料比、引发剂及反应时间对共聚物的组成和分子量的影响进行了讨论.
关键词:
PEO大单体
,
甲基丙烯酸甲酯
,
原子转移自由基共聚
,
接枝共聚物
冯松
,
杜宝辉
,
沈良骏
高分子材料科学与工程
用丙二酸二乙酯钾作为环氧乙烷(EO)开环聚合的阴离子引发剂,成功地引发了EO的开环聚合,合成了一种新型α-丙二酸二乙酯基-ω-甲基丙烯酰基聚氧乙烯(PEO)大单体;在此基础上,又考察了此大单体与小分子丙烯酰胺(AM)共聚情况,得到了PAM-g-PEO的接枝共聚物,大单体及共聚物经纯化后,用IR、1H-NMR、VPO、GPC、DSC等进行了表征,证实了产物有预期的接枝共聚物结构,初步探讨了影响聚合的条件.
关键词:
阴离子引发剂
,
聚氧乙烯大单体
,
丙烯酰胺
,
接枝共聚物
