宋超
,
杨瑞东
,
冯林永
,
陈寒娴
,
邓荣斌
,
王国宁
,
杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术在不同Ar+能量下溅射Ge单层膜.用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar+能量变化的波动性关系.在0.6keV的Ar+能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜.通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化.
关键词:
离子束溅射
,
Ge薄膜
,
Ar+能量
,
结晶性
张家敏
,
雷霆
,
张玉林
,
冯林永
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.03.019
采用干馏原理和方法,设计了从褐煤中提锗同时制取焦炭的工艺流程,研究了褐煤在不同干馏温度、时间、气氛下锗的挥发特性及残余物的特性.结果表明:温度和时间是影响褐煤中锗挥发的主要因素,气氛的影响较小.当温度高于800 ℃时,锗大量挥发;800 ℃保温2 h锗挥发率大于60%,1000 ℃保温2 h锗挥发率大于80%,保温10 h大于85%;1000 ℃保温2 h的干馏残余物通过洗选可获得优质焦炭.探讨了含锗褐煤锗挥发机制,并对锗在褐煤中的赋存结构进行了研究.
关键词:
褐煤
,
锗
,
干馏
,
挥发率
,
残余物
,
焦炭
宋超
,
杨瑞东
,
冯林永
,
杨宇
材料导报
采用离子束溅射技术,在低生长束流(4～10 mA)范围内,对低温(25～300 ℃)Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出:在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长.
关键词:
Si薄膜
,
离子束溅射
,
束流
,
低温
蒋训雄
,
蒋开喜
,
范艳青
,
汪胜东
,
冯林永
,
李达
有色金属工程
doi:10.3969/j.issn.2095-1744.2017.03.007
针对现有粉煤灰提取氧化铝方法中存在的问题,采用硫酸固相转化法从粉煤灰中提取氧化铝,考察了硫酸用量、反应温度和时间、升温速度等因素对铝转化率的影响.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)等手段对粉煤灰提取铝工艺过程中各样品的微观形貌和结构组成变化进行研究.结果表明,粉煤灰与浓硫酸反应后,粉煤灰中的偏高岭石、莫来石等铝硅酸盐矿物颗粒受到硫酸浸蚀转变成硫酸铝和二氧化硅;固相转化后的熟料用水洗即可将铝浸出而与硅分离;硫酸用量、温度及升温速度对转化率的影响较大,转换率可达94%以上.
关键词:
粉煤灰
,
氧化铝
,
硫酸固相转化
,
相变
