钱敏
,
李海波
,
林丽锋
,
张哲娟
,
刘菁菁
,
杨介信
,
冯涛
,
潘丽坤
,
孙卓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.017
采用GaN基蓝色发光芯片为激发源,结合黄色硅酸盐系列荧光粉封装成大功率白光发光二极管(W-LEDs).利用24颗大功率5W白光发光二极管制作了两种不同连接方式的W-LEDs路灯:2并12串,和4并6串.设计了相应的驱动电路,对这两种不同连接方式的大功率W-LEDs路灯的光电特性及其在照明光源中的应用条件作了深入地研究和对比,测试了它们的伏安特性,发光效率以及功效,结果表明2并12串连接方式的W-LEDs路灯具有更加稳定的伏安特性,更高的照度以及更高的功效.与高压钠灯和荧光灯的特性相比较,W-LEDs路灯作为绿色环保光源灯,具有更高的显色指数,更加环保,节能.
关键词:
荧光粉
,
白光发光二极管
,
伏安特性
,
发光特性
,
功效
黄卫东
,
王旭洪
,
盛玫
,
徐立强
,
罗乐
,
冯涛
,
王曦
,
张富民
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.015
利用等离子体化学气相沉积( PECVD)技术 ,采用不同的沉积条件 (20～ 180℃的基板温度范 围和 10～ 30W的射频功率 )制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的 影响.实验发现随着基板温度的增加 ,氮化硅薄膜的密度、折射率和 Si/N比相应增加 ,而沉积速 率和 H含量相应减少 ;随着射频功率的增加 ,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和 Si/N比相 应增加 ,而 H含量相应减少.水汽渗透实验发现即使基板温度降低为 50℃,所沉积的氮化硅薄膜 仍然具有良好的防水性能.实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件( OLED) 的封装.
关键词:
氮化硅薄膜
,
有机发光器件
,
封装
李天军
,
陈奕卫
,
丁慧
,
林丽锋
,
钱敏
,
潘丽坤
,
孙卓
,
冯涛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.018
近年来,在电致变色领域基于甲基紫精修饰高比表面积的纳米TiO2薄膜电极取得了巨大的进步,并将这项技术推向商业化.本文介绍了一种由有机变色分子修饰纳米晶TiO2薄膜电极而组装成的电致变色器件,通过"嫁接"在甲基紫精分子上的磷酸基和纳米TiO2薄膜电极表面的羟基化学吸附,我们得到了具有良好电致变色性能的"电子纸".本文采用的电解质是0.05mol/L的高氯酸锂和0.05mol/L的二茂铁的1,4丁内酯溶液,对电极为透明导电玻璃.实验证明该电致变色器件具有很高的稳定性,并达到了毫秒级的响应速度,在未来显示领域"电子纸"的商业化进程中具有很大的潜力.
关键词:
电致变色
,
纳米电极
,
甲基紫精
,
TiO2(锐钛矿型)
蒋军
,
江炳尧
,
任琮欣
,
张福民
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
稀有金属材料与工程
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
电子发射
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
,
铂膜
冯涛
,
粘洪强
,
李丽华
,
许毅伟
,
徐权
,
夏金锋
,
徐兵
,
黄德信
,
徐海芳
硅酸盐通报
采用流延成型工艺,制备了片式氧传感器,研究了尖晶石电极保护涂层的制备,包括分散剂、触变剂的作用.测试了经过暴露在SO2气体中30 d后片式传感器的动态响应.结果表明经过30 d在SO2环境中的寿命考核,片式传感器的性能没有劣化,可以很好的保护Pt电极免受SO2的腐蚀.
关键词:
片式氧传感器
,
SO2腐蚀
,
尖晶石
林丽锋
,
陈奕卫
,
钱敏
,
李天军
,
丁慧
,
张哲娟
,
孙卓
,
冯涛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.018
介绍了一套简单、低成本的制作二极管型碳基膜场发射显示器模块的制作方法.该显示单元模块为16 * 16矩阵型点阵,可根据实际需要拼接成各种尺寸.器件的阴极和阳极均采用丝网印刷技术,包括:阴极导电图形、CNT图形、阳极荧光图形的印刷.各膜层图形经过精心设计以实现矩阵选址.使用低玻粉将阴极和阳极烧结之后,采用超高真空排气台进行排气,然后装配上驱动电路,即实现了单元碳基膜场发射显示器模块的制作.另外,为了改善CRT荧光粉的黏附性差和电阻率低的问题,我们往CRT荧光粉浆料中分别加入了碳纳米管和硝酸镁,得到了更好的发光性能.
关键词:
碳纳米管
,
场发射显示器
,
丝网印刷
,
荧光粉
蒋军
,
江炳尧
,
郑志宏
,
任琮欣
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
功能材料
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
抑制电子发射
,
铪
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
冯涛
,
茅东升
,
李炜
,
柳襄怀
,
王曦
,
张福民
,
李琼
,
徐静芳
,
诸玉坤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.018
采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能.通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能.测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2.利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管.
关键词:
类金刚石薄膜
,
图形化
,
场发射显示器
江炳尧
,
蒋军
,
冯涛
,
任琮欣
,
张正选
,
宋志棠
,
柳襄怀
,
郑里平
功能材料
采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析.
关键词:
离子束辅助沉积
,
Pt膜
,
择优取向
陈婷
,
郭平生
,
王莉莉
,
冯涛
,
陈弈卫
,
张哲娟
,
林丽锋
,
阙文修
,
孙卓
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.010
采用磁控共溅射法在Si片表面镀NiTi膜作为碳纳米管生长的催化剂,制备出表面形貌特殊的碳纳米管薄膜,如"丘状"和"星状"的表面微结构.通过扫描电子显微镜对碳纳米管薄膜的形貌进行表征,采用二极管形式测试了碳纳米管薄膜的场发射性能.实验结果表明,这两种碳纳米管薄膜都具有优异的场发射性能,10μA/cm时的开启电场分别仅为1.02 V/btm和1.15 V/μm,在外加电场为2.4 V/μm时的电流密度分别达到4.32 mA/cm2和6.88 mA/cm2.通过场发射FN的曲线计算得到的场发射增强因子分别为10 113和6 840.这两种碳纳米管薄膜优异的场发射性能与其表面的微结构有关.表面的粗糙结构增强了部分碳纳米管的局域电场,易于发射电子.
关键词:
场发射显示
,
碳纳米管
,
场发射
,
表面形貌
